类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：650V
　　连续漏极电流（Id）：20A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.24Ω（最大值）
　　栅极电荷（Qg）：65nC
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220
　　功率耗散（Pd）：125W

DCG20B650LB-TUB具备多项优异的电气和机械特性。首先，其高漏源电压（650V）和大连续漏极电流（20A）使其适用于高功率和高压环境。其次，低导通电阻（Rds(on)）减少了导通损耗，提高了系统效率。此外，该MOSFET具有快速开关能力，降低了开关损耗，从而提高了整体系统的能效。
　　TO-220封装不仅提供了良好的散热性能，还增强了设备的机械稳定性，使其能够在恶劣的工业环境中可靠运行。该器件的工作温度范围宽广（-55°C至150°C），适应性强，能够在极端温度条件下正常工作。
　　DCG20B650LB-TUB还具备高耐用性和抗干扰能力，确保在复杂电磁环境中稳定运行。其栅极电荷（Qg）较低，使得驱动电路的设计更加简便，同时降低了开关过程中的能量损耗。

DCG20B650LB-TUB广泛应用于需要高电压和高电流处理能力的电子系统中。常见的应用包括工业电源、电机驱动、逆变器、不间断电源（UPS）以及各种高功率开关电源。由于其优异的性能和可靠性，它也被用于电动汽车充电设备和太阳能逆变器等新能源领域。
　　在工业自动化控制系统中，DCG20B650LB-TUB可用于驱动大功率负载，如继电器、电磁阀和电动机。此外，在LED照明系统和高频电源转换器中，该MOSFET也能提供高效的功率管理解决方案。

TK20A60D, STW20NK60Z, IRFPG50