DCG130X1200NA 是一款由 Diodes Incorporated 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件设计用于高效率电源管理应用,如 DC-DC 转换器、负载开关和电机控制。DCG130X1200NA 采用了先进的沟槽技术,具有低导通电阻(Rds(on))和高电流处理能力,能够在高温环境下稳定工作。
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds):1200V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):130A(在 TC=25°C)
导通电阻(Rds(on)):典型值 30mΩ(在 Vgs=10V)
功耗(Pd):500W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装类型:TO-247
DCG130X1200NA 的核心特性之一是其极低的导通电阻,这有助于减少导通损耗,提高电源转换效率。该器件的 1200V 高耐压能力使其适用于高电压应用,例如工业电源和新能源系统。此外,DCG130X1200NA 采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,优化了开关性能,降低了开关损耗,从而提高了整体系统效率。
另一个重要特性是其高电流承载能力,最大连续漏极电流可达 130A。这种高电流能力使其适用于高功率密度设计,例如电动汽车充电系统和大功率逆变器。此外,DCG130X1200NA 的 TO-247 封装提供了良好的热管理和电气连接,确保器件在高负载条件下仍能保持稳定运行。
该 MOSFET 还具备良好的热稳定性,工作温度范围从 -55°C 到 +175°C,适合在恶劣环境下使用。它的栅极驱动电压范围较宽(±20V),允许使用不同的驱动电路进行控制,提高了设计的灵活性。同时,DCG130X1200NA 具有较低的栅极电荷(Qg),有助于提高开关速度,减少开关损耗,进一步提升系统效率。
DCG130X1200NA 广泛应用于多种高功率电子系统中。在电源管理领域,它常用于高效 DC-DC 转换器、服务器电源和电信电源设备。由于其高耐压和低导通电阻特性,该器件非常适合用于太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块。
在电机控制和工业自动化领域,DCG130X1200NA 可用于电机驱动器和负载开关,提供高效的功率控制。此外,该器件也适用于电动汽车中的车载充电器(OBC)和电池管理系统(BMS),帮助提高能源利用效率。
在消费电子领域,DCG130X1200NA 可用于高功率适配器、LED 照明驱动器和智能家电中的功率管理模块。其高可靠性和宽温度范围使其成为各种严苛环境下的理想选择。
SiC MOSFET(如 Cree 的 C3M0060065J)、IXYS 的 IXFH130N120、STMicroelectronics 的 STD120N120K5