时间：2025/3/31 17:13:20
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DC081S101CISD是一款高性能的陶瓷电容器，采用多层片式结构（MLCC），具有高稳定性和低ESR特性。该型号主要应用于高频滤波、耦合和旁路等场景，广泛适用于消费电子、通信设备以及工业控制等领域。
该器件具有优良的温度特性和频率特性，能够确保在各种复杂环境下的稳定工作表现。
型号：DC081S101CISD
类型：多层陶瓷电容器（MLCC）
容量：100pF
额定电压：50V
容差：±5%
温度特性：C0G（NP0）
封装：0805
尺寸：2.0mm x 1.25mm
工作温度范围：-55℃ 至 +125℃
DC081S101CISD属于C0G（NP0）类电容器，其特点是温度系数极低，在整个工作温度范围内容量变化小于±30ppm/℃，因此非常适合对温度稳定性要求较高的应用。此外，这款电容器还具备较低的介质损耗和良好的频率响应，适合高频电路使用。
由于采用了陶瓷材料和多层结构设计，这款电容器拥有紧凑的体积和出色的机械强度，能够在振动和冲击环境下保持性能稳定。同时，其表面贴装封装形式使得它易于自动化生产，提高了装配效率。
1. 高频滤波器设计，用于去除信号中的噪声和干扰。
2. 射频电路中的耦合和去耦作用，确保信号完整性和电源稳定性。
3. 在时钟电路和振荡电路中提供稳定的负载电容。
4. 工业控制设备中的精密滤波和信号调节。
5. 消费电子产品中的音频处理和视频信号优化。
6. 通信基站和其他无线设备中的射频前端组件。
DC081S101CIST, GRM155C80J101KA01D, C0805C101K4RACTU
