类型：双共阴极肖特基二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：50V
　　最大直流阻断电压（VR）：50V
　　平均整流电流（IO）：1.0A（每条支路）
　　峰值浪涌电流（IFSM）：30A（8.3ms单半正弦波）
　　最大正向压降（VF）：0.55V @ 1.0A, 25°C
　　最大反向漏电流（IR）：0.5mA @ 50V, 25°C；10mA @ 50V, 125°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　热阻抗（RθJA）：约150°C/W（典型值，取决于PCB布局）
　　封装形式：SMA（DO-214AC）
　　引脚数：2
　　极性配置：双共阴极（Common Cathode）
　　低VF设计：<0.6V @ 1A

DBS105G的核心优势在于其低正向压降和高速开关能力。该器件采用先进的肖特基势垒技术，在正向导通时表现出比传统硅PN结二极管更低的电压降，典型值在0.55V左右（在1A电流下），这显著降低了功率损耗，提升了电源系统的整体能效。尤其在低压大电流输出的开关电源中，如5V或3.3V输出的DC-DC转换器中，这种低VF特性能够有效减少发热，提高可靠性。
　　另一个关键特性是其快速恢复性能。由于肖特基二极管是非载流子注入型器件，不存在少数载流子储存效应，因此其反向恢复时间几乎可以忽略不计（trr < 10ns），远优于普通整流二极管。这一特点使其非常适合高频开关电路，例如PWM控制的电源适配器、LED驱动电源和同步整流辅助电路，避免了因反向恢复引起的尖峰噪声和能量损失。
　　DBS105G内部集成了两个共阴极连接的肖特基二极管，这种设计简化了双路整流或并联使用时的布线复杂度，并确保两个二极管共享同一散热路径，有利于温度均衡。同时，SMA封装提供了良好的机械强度和焊接可靠性，支持自动化贴片生产。器件还具备一定的浪涌电流承受能力（可达30A），能够在瞬态过流条件下保持稳定运行，增强了系统的鲁棒性。
　　从环境适应性来看，DBS105G可在-55°C至+125°C的宽温度范围内正常工作，适用于工业控制、汽车电子外围电路及户外设备等严苛环境。其符合国际环保标准，不含铅、镉等有害物质，可通过回流焊工艺进行装配，兼容现代无铅制程。总体而言，DBS105G是一款性价比高、性能稳定的通用型肖特基二极管阵列，广泛应用于各类中低端功率电子系统中。

DBS105G常用于多种电源管理与信号处理电路中。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）中的输出整流环节，尤其是在低压输出（如5V、3.3V）的反激式或降压型转换器中作为次级整流元件，利用其低正向压降提升转换效率。它也广泛用于DC-DC转换模块、便携式充电设备、USB供电电路以及小型逆变器中。
　　在电机驱动和继电器控制电路中，DBS105G可作为续流二极管（Flyback Diode）来抑制感性负载断开时产生的反电动势，保护开关器件（如MOSFET或晶体管）免受高压击穿。由于其双共阴极结构，特别适合双通道马达驱动或H桥电路中的并联续流路径设计。
　　此外，该器件还可用于电池充放电管理系统中的防反接保护电路，防止电源极性接错导致后级电路损坏。在消费类电子产品如智能家居设备、路由器、监控摄像头等内部电源单元中，DBS105G因其小尺寸和高可靠性而被广泛采用。
　　在信号整形和箝位电路中，DBS105G也可作为高速开关元件使用，限制电压幅度或实现逻辑电平转移。由于其快速响应特性，适用于脉冲宽度调制（PWM）信号路径中的隔离与保护。在太阳能充电控制器、LED照明电源等绿色能源产品中也有广泛应用。

SB1050
　　SS15-E3/57T
　　MBR1050T
　　B540CB-W