DBLS207G 时间：2025/8/14 1:32:30 阅读：10

DBLS207G 是一款由 Diodes 公司制造的双极型晶体管（BJT），属于 NPN 类型的高频晶体管。该器件广泛用于射频（RF）和中频（IF）放大电路中，尤其适用于要求高增益和低噪声的场合。DBLS207G 采用 SOT-23 封装形式，具有较高的工作频率范围，适合在无线通信、广播接收设备和测试仪器等应用中使用。其高增益特性和良好的噪声性能使其成为低噪声放大器（LNA）设计中的理想选择。

参数

类型：NPN 双极型晶体管
　　封装类型：SOT-23
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Ptot）：300 mW
　　最大工作频率（fT）：100 MHz
　　增益（hFE）：在 2 mA 时为 110 至 800（根据等级不同）
　　噪声系数：5 dB（典型值，1 kHz）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

DBLS207G 拥有出色的高频性能，能够在高达 100 MHz 的频率下保持较高的增益，适用于射频和中频放大电路。其低噪声系数（约 5 dB）使其非常适合用于低噪声放大器（LNA），特别是在接收器前端电路中，能够有效提高信号的清晰度和灵敏度。此外，该晶体管的 hFE 值根据等级不同，范围从 110 到 800，具有较宽的增益选择范围，满足不同电路设计的需求。SOT-23 小型封装形式不仅节省空间，还便于在高密度 PCB 布局中使用。该器件具有良好的热稳定性和可靠性，适用于宽温度范围的工作环境，确保在恶劣条件下仍能稳定运行。

应用

DBLS207G 主要用于射频和中频放大器电路中，适用于无线通信系统、广播接收设备、测试测量仪器以及音频放大器的前置放大级。在无线通信领域，该晶体管常用于接收机的前端低噪声放大器（LNA），以提升信号接收的灵敏度和质量。此外，它也可用于数据传输设备、工业控制系统以及消费类电子产品中的信号放大和处理电路。由于其高频特性和低噪声性能，DBLS207G 在许多需要高性能模拟放大的场合都具有广泛的应用前景。