漏源电压(VDS)：20V
　　栅源电压(VGS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：15A（@25℃）
　　导通电阻(RDS(on))：10mΩ（典型值，@VGS=10V）
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装类型：SOP-8

DBI15-10的主要特性之一是其低导通电阻，这使得在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的RDS(on)典型值仅为10mΩ，在VGS=10V时可以支持高达15A的连续漏极电流。此外，DBI15-10采用了双路N沟道MOSFET结构，两个通道彼此独立，适用于需要两个独立开关的电路设计。
　　该器件的另一个显著特点是其优异的热性能。SOP-8封装内部集成了散热焊盘，有助于将热量有效地传导到PCB上，从而提升器件的热稳定性与可靠性。DBI15-10的工作温度范围为-55℃至+150℃，使其适用于各种恶劣环境条件下的工业和汽车应用。
　　栅极驱动电压范围为±12V，推荐在10V下工作以实现最佳的导通性能。该器件具有较高的栅极击穿电压能力，增强了抗干扰能力和系统稳定性。同时，其快速开关特性使得DBI15-10适用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用。
　　此外，DBI15-10符合RoHS环保标准，无铅封装设计满足现代电子设备对环保材料的要求。

DBI15-10广泛应用于各种电源管理领域，如同步整流、DC-DC转换器、负载开关和电源分配系统。其低导通电阻和高电流承载能力使其成为高效电源设计的理想选择。在电池供电设备中，例如笔记本电脑、平板电脑和便携式充电器中，DBI15-10可用于高效率的电源转换电路，延长电池寿命。
　　在电机控制和H桥驱动电路中，DBI15-10的双通道结构可以作为两个独立的功率开关使用，实现电机的正反转控制。此外，它还可用于LED背光驱动、热插拔电源控制以及各种工业自动化控制系统中。
　　由于其优异的热性能和封装设计，DBI15-10也适用于需要高可靠性的汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统和车身控制模块等。

SiSS15DN, TPS2R215A, FDMC1500, IPB150N20N3