晶体管类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 150°C
　　增益带宽积（fT）：250MHz
　　电流增益（hFE）：110（最小）至 800（最大）
　　封装类型：SOT-23

ZY7115HG-T2 具有多个显著的电气特性，使其适用于各种高性能电子电路设计。首先，其高增益带宽积（fT）为 250MHz，这使得该晶体管非常适合用于高频放大和高速开关应用。其次，电流增益（hFE）范围广泛，从 110 到 800，能够满足不同电路设计对增益的要求。此外，该晶体管的 VCEO 和 VCBO 均为 50V，具备较高的电压承受能力，能够在较宽的电压范围内稳定工作。ZY7115HG-T2 的 SOT-23 小型封装不仅节省空间，还便于表面贴装工艺，提高生产效率和可靠性。该器件的热稳定性良好，在高温环境下仍能保持稳定的工作状态，适用于各种严苛的工作环境。另外，该晶体管的功耗为 300mW，能够在低功耗条件下实现高效能的电路设计，适合电池供电设备和便携式电子产品。

ZY7115HG-T2 主要应用于高频放大器、射频（RF）电路、音频放大器、开关电路以及各种电源管理模块中。在通信设备中，该晶体管可用于信号放大和调制解调电路，提高信号传输的稳定性和质量。在工业控制领域，ZY7115HG-T2 可用于传感器信号放大、电机驱动控制等场景，确保设备运行的可靠性。此外，该晶体管还可用于消费类电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的音频处理模块和电源管理系统。由于其良好的高频特性和低功耗设计，ZY7115HG-T2 也常被用于无线充电、蓝牙模块和 Wi-Fi 通信模块中的射频前端电路。

BC847 NPN, 2N3904, PN2222A