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DB2U30800L 发布时间 时间:2025/5/10 9:38:26 查看 阅读:20

DB2U30800L是一款高性能的功率MOSFET器件,采用先进的制造工艺技术,主要应用于开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。该器件具有低导通电阻和高电流处理能力的特点,能够显著提高电路效率并降低热损耗。
  DB2U30800L属于N沟道增强型MOSFET,通过优化设计实现了较低的栅极电荷和输出电容,从而在高频应用中表现出优异的动态性能。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源极击穿电压:800V
  连续漏极电流:6.7A
  导通电阻(典型值):1.4Ω
  栅极电荷:45nC
  输入电容:1600pF
  工作温度范围:-55℃至+150℃
  封装形式:TO-220AC

特性

1. 该器件具备800V的高耐压能力,适用于高压环境下的功率转换和控制应用。
  2. 其导通电阻仅为1.4Ω(典型值),可以有效减少传导损耗,提高整体效率。
  3. DB2U30800L具有较低的栅极电荷和开关损耗,适合高频开关应用。
  4. 采用了TO-220AC标准封装,安装方便且散热性能良好。
  5. 工作温度范围宽达-55℃至+150℃,确保其能够在恶劣环境下稳定运行。

应用

DB2U30800L广泛应用于多种电力电子领域,包括但不限于以下方面:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC转换器,例如降压、升压及反激式拓扑结构中的功率开关。
  3. 电机驱动和逆变器系统中的功率级元件。
  4. 各种工业控制设备和家用电器中的高压开关组件。
  5. 电池管理系统(BMS)中的保护电路和负载切换控制。

替代型号

DB2U30800H, IRFP260N, STP36NF80

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DB2U30800L参数

  • 数据列表DB2U308 View All Specifications
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型肖特基
  • 电压 - (Vr)(最大)30V
  • 电流 - 平均整流 (Io)100mA
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)420mV @ 100mA
  • 速度小信号 =
  • 反向恢复时间(trr)1.3ns
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电120µA @ 30V
  • 电容@ Vr, F2.9pF @ 10V,1MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOD-923
  • 供应商设备封装USSMINI2-F2-B
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称P15188DKR