DB2J31700L是一款高性能的MOSFET晶体管,广泛应用于功率转换和电机驱动领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于要求高效能和低损耗的应用场景。
该产品属于N沟道增强型MOSFET,支持较高的工作电压,并能在高频条件下保持良好的性能。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:40A
导通电阻:0.8mΩ
栅极电荷:95nC
工作温度范围:-55℃ to 150℃
DB2J31700L的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,能够有效减少功率损耗,提升系统效率。
2. 高速开关性能,适合高频应用场合。
3. 具备强大的抗静电能力(ESD保护),提高了产品的可靠性。
4. 小尺寸封装设计,节省PCB空间,便于在紧凑型设备中使用。
5. 支持宽泛的工作温度范围,适应各种恶劣环境条件下的应用需求。
DB2J31700L适用于以下应用场景:
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换模块。
2. 电动工具、家用电器等领域的电机驱动电路。
3. 汽车电子系统的负载切换控制。
4. 工业自动化设备中的DC/DC转换器。
5.控制的电子设备。
其卓越的性能使其成为众多高功率、高频应用的理想选择。
IRF3205
STP55NF06L
SI4873DY