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DB2J31700L 发布时间 时间:2025/6/11 17:45:27 查看 阅读:7

DB2J31700L是一款高性能的MOSFET晶体管,广泛应用于功率转换和电机驱动领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于要求高效能和低损耗的应用场景。
  该产品属于N沟道增强型MOSFET,支持较高的工作电压,并能在高频条件下保持良好的性能。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻:0.8mΩ
  栅极电荷:95nC
  工作温度范围:-55℃ to 150℃

特性

DB2J31700L的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,能够有效减少功率损耗,提升系统效率。
  2. 高速开关性能,适合高频应用场合。
  3. 具备强大的抗静电能力(ESD保护),提高了产品的可靠性。
  4. 小尺寸封装设计,节省PCB空间,便于在紧凑型设备中使用。
  5. 支持宽泛的工作温度范围,适应各种恶劣环境条件下的应用需求。

应用

DB2J31700L适用于以下应用场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率转换模块。
  2. 电动工具、家用电器等领域的电机驱动电路。
  3. 汽车电子系统的负载切换控制。
  4. 工业自动化设备中的DC/DC转换器。
  5.控制的电子设备。
  其卓越的性能使其成为众多高功率、高频应用的理想选择。

替代型号

IRF3205
  STP55NF06L
  SI4873DY

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DB2J31700L参数

  • 数据列表DB2J317 View All Specifications
  • 产品培训模块Junction Barrier Schottky Overview
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型标准
  • 电压 - (Vr)(最大)30V
  • 电流 - 平均整流 (Io)1A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)520mV @ 1A
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)7.8ns
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电100µA @ 40V
  • 电容@ Vr, F22pF @ 10V,1MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-90,SOD-323F
  • 供应商设备封装SMini2-F5-B
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称DB2J31700LDKR