时间：2025/9/3 21:56:40
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IRF640FI是一款由英飞凌（Infineon）推出的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及开关电源等场合。该器件采用TO-220封装，具备较高的耐压和大电流能力，适合在中高功率应用中使用。
类型：N沟道
最大漏源电压(Vds)：200V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：18A
导通电阻(Rds(on))：0.15Ω
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
功率耗散(Pd)：125W
IRF640FI具有低导通电阻的特点，有助于减少功率损耗并提高系统效率。其高耐压设计（200V Vds）使其适用于多种中高压电源转换电路。该MOSFET具备良好的热稳定性，在高电流负载下仍能保持稳定工作。此外，IRF640FI的栅极驱动电压范围较宽（±20V），兼容多种驱动电路设计，增强了其在不同应用场景下的适用性。
该器件采用了先进的沟槽技术，提供快速的开关速度，从而降低开关损耗，提高整体效率。TO-220封装结构使其具备良好的散热性能，适用于需要高可靠性的工业级应用。由于其优良的电气特性和热性能，IRF640FI在许多功率电子系统中被广泛采用。
IRF640FI主要用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器、电机控制电路、逆变器、照明镇流器以及各种中高功率电子设备中。它也常用于工业自动化控制系统中的功率开关模块，适用于需要高效率和高可靠性的电源管理方案。
IRF640N, IRFZ44N, IRFP250N, STP16NF20
