时间：2025/8/7 9:20:29
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DAP021AG是一款由Diodes Incorporated生产的双N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛用于电源管理和开关应用。该器件采用先进的Trench MOSFET技术，提供低导通电阻和高开关性能，适用于高效能电源转换系统。
类型：MOSFET
通道类型：双N沟道
漏极-源极电压（VDS）：20V
栅极-源极电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：6A
导通电阻（RDS(on)）：21mΩ（典型值，VGS=4.5V）
封装类型：TSOP
工作温度范围：-55°C至150°C
DAP021AG具有低导通电阻，有助于减少导通损耗，提高系统效率。其双N沟道MOSFET结构允许在同步整流和H桥应用中使用，提供更高的集成度和节省PCB空间。该器件还具备高开关速度，适合高频开关应用。此外，DAP021AG的TSOP封装具有良好的热性能，能够有效地将热量传导到PCB上，确保器件在高负载条件下稳定工作。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至12V的驱动电压，使其适用于多种控制器和驱动器电路。此外，其耐用的设计和优良的可靠性使其适用于工业和消费类电子设备中的电源管理模块。
DAP021AG适用于多种电源管理应用，如DC-DC转换器、负载开关、同步整流、电机控制和电池管理系统。它也常用于便携式电子设备、电源适配器、LED驱动器和工业控制系统中。
Si3442DV, AO4406, IRF7413, FDS6680
