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DAN235ETL 发布时间 时间:2025/5/10 10:24:05 查看 阅读:11

DAN235ETL是一种高性能的功率MOSFET器件,广泛应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等领域。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,能够在高频应用中提供高效的功率转换。其封装形式为TO-220,便于散热设计和电路安装。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻:1.8mΩ
  总功耗:175W
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

DAN235ETL具有非常低的导通电阻,仅为1.8mΩ,这使得它在高电流应用中能够显著降低功耗。
  该器件还具有快速开关能力,可有效减少开关损耗,适用于高频开关应用。
  其坚固的结构设计确保了在恶劣环境下的可靠运行,同时TO-220封装提供了良好的散热性能,适合大功率场合。
  DAN235ETL的高耐压能力和大电流处理能力使其成为工业和汽车应用的理想选择。

应用

DAN235ETL主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器、电池管理系统以及逆变器等场景。
  在开关电源中,它可以作为主开关管,提供高效稳定的功率输出。
  在电机驱动领域,DAN235ETL能够支持高电流负载,确保电机平稳运行。
  此外,它也常用于新能源汽车中的电池管理模块,负责能量转换和分配。

替代型号

DAN235EPL, IRFZ44N, FDP5500

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DAN235ETL参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭RF 二极管
  • 系列-
  • 二极管类型标准 - 1 对共阴极
  • 电压 - 峰值反向(最大)35V
  • 电流 - 最大-
  • 电容@ Vr, F1.2pF @ 6V,1MHz
  • 电阻@ Vr, F900 毫欧 @ 2mA,100MHz
  • 功率耗散(最大)150mW
  • 封装/外壳SC-75,SOT-416
  • 供应商设备封装EMD3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DAN235ETL-NDDAN235ETLTR