DAN202KLT1 时间：2025/8/16 20:11:31 阅读：22

DAN202KLT1 是一款由东芝（Toshiba）公司生产的双通道N沟道MOSFET场效应晶体管，主要用于负载开关、电源管理和电池供电设备中的高效能开关应用。该器件采用小型SOT-23-6封装，适用于便携式电子设备、笔记本电脑、移动电源（Power Bank）和智能电池管理系统等应用场景。DAN202KLT1具备低导通电阻、高速开关特性和良好的热稳定性，能够在低电压条件下提供高效能的功率控制。

参数

类型：N沟道MOSFET（双通道）
　　封装：SOT-23-6
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±8V
　　连续漏极电流（ID）：4A（每个通道）
　　导通电阻（RDS(on)）：35mΩ（典型值，@VGS=4.5V）
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　功耗（PD）：1.5W
　　栅极电荷（Qg）：7.5nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：380pF（典型值）

特性

DAN202KLT1 的主要特性之一是其双通道结构设计，允许两个独立的N沟道MOSFET在同一个封装中工作，从而节省PCB空间并简化电路设计。此外，该器件具有较低的导通电阻（RDS(on)），在4.5V栅极驱动电压下仅35mΩ，有助于减少导通损耗，提高整体能效。其高速开关能力使得该MOSFET适用于高频开关电源应用，降低开关损耗，提高系统响应速度。
　　该器件采用SOT-23-6封装，尺寸小巧，适合高密度组装，并具备良好的散热性能。此外，DAN202KLT1的栅极驱动电压范围较宽，支持2.5V至4.5V之间的逻辑电平驱动，兼容多种控制器和处理器的输出电平，适用于低压系统设计。
　　在可靠性方面，DAN202KLT1具备优良的热稳定性和过温保护能力，确保在高负载条件下仍能稳定运行。其低漏电流特性也使其适用于低功耗待机模式的电路设计，如便携式设备的电池管理系统。

应用

DAN202KLT1 主要用于需要高效能功率管理的便携式电子产品中，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备、移动电源和电池充电器等。由于其双通道设计，它常用于负载开关、电源路径管理、DC-DC转换器和LED背光驱动电路中。此外，该MOSFET也广泛应用于工业控制系统、传感器模块和智能电池管理系统中，作为高效能开关器件使用。