时间：2025/9/7 12:13:29
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DAM3MA68是一款由东芝（Toshiba）生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率的电源转换应用。这款MOSFET属于N沟道增强型晶体管，设计用于在高压和高电流条件下工作，提供高效的开关性能。其封装形式为SOP（小外形封装），适合在空间受限的电路设计中使用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：60A
最大漏极-源极电压（VDS）：60V
最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(ON)）：最大值为14.5mΩ（在VGS=10V时）
最大功耗（PD）：150W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOP
DAM3MA68 MOSFET具有非常低的导通电阻（RDS(ON)），这使得它在高电流应用中能够减少功率损耗并提高效率。此外，该器件具有快速开关特性，适用于需要高频率操作的应用，如DC-DC转换器和电机控制电路。其SOP封装形式不仅节省空间，还便于在高密度PCB设计中使用。该MOSFET还具有良好的热稳定性，能够在高温度环境下保持稳定的工作性能。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持从4.5V到10V的驱动电压，这使得它能够与多种栅极驱动电路兼容。同时，DAM3MA68的内部结构设计优化了电场分布，从而提高了器件的可靠性和耐用性。由于其高性能特性，DAM3MA68非常适合用于工业自动化设备、电源管理系统以及汽车电子系统中的高效率电源转换模块。
DAM3MA68广泛应用于需要高效电源转换和管理的场合，如DC-DC转换器、电源供应器、电池充电器、电机驱动器以及工业自动化控制系统。此外，它还可用于汽车电子系统中的电源管理模块，为车辆中的各种电子设备提供稳定高效的电源支持。
TKA68N60W, R6004END, IPP60R1K4C6
