时间：2025/7/8 20:13:57
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GA1812A390GXGAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高耐压的特点。该器件适用于高频开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等应用场合，能够显著提升系统的效率和稳定性。
这款功率MOSFET支持快速开关操作，并具备良好的热性能表现，使其在紧凑型设计中依然能够保持出色的可靠性。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：600V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：12A
导通电阻(Rds(on))：0.4Ω（在Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：150W
结温范围(Tj)：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247
1. 高耐压能力，可承受高达600V的漏源电压，适用于高压工作环境。
2. 极低的导通电阻，有效降低传导损耗，提高整体效率。
3. 快速开关速度，适合高频应用场合。
4. 内置ESD保护电路，增强器件的抗静电能力。
5. 优异的热性能，确保在高功率应用场景下的长期可靠性。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器的核心元件。
3. 电机驱动电路中的功率控制。
4. 各类工业自动化设备中的功率调节模块。
5. 太阳能逆变器及储能系统中的功率管理部分。
IRFP460N
FQA12N60C
STP12NM60E
