型号：DA115
　　类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-20V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-3.7A（@ VGS = -4.5V）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-10A
　　导通电阻（RDS(on)）：45mΩ（@ VGS = -4.5V）
　　导通电阻（RDS(on)）：60mΩ（@ VGS = -2.5V）
　　阈值电压（VGS(th)）：-0.8V ~ -1.5V
　　输入电容（Ciss）：330pF（@ VDS=10V）
　　开关时间（开启）：15ns
　　开关时间（关闭）：25ns
　　功耗（PD）：1W（@ TA=25°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23

DA115 P沟道MOSFET具备多项关键特性，使其在众多低电压功率开关应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体能效。在VGS = -4.5V时，RDS(on)仅为45mΩ，而在更常见的逻辑电平驱动电压VGS = -2.5V下，也仅达到60mΩ，这使得它能够高效地用于电池供电设备中，延长续航时间。其次，该器件支持逻辑电平驱动，意味着它可以被3.3V甚至更低的微控制器GPIO直接驱动，无需外加驱动电路，极大简化了设计复杂度。
　　另一个重要特性是其快速的开关响应能力。DA115具有较短的开关时间（开启约15ns，关闭约25ns），有助于减少开关过程中的能量损耗，特别适合高频开关应用，如DC-DC转换器中的同步整流或负载切换。同时，输入电容较低（Ciss ≈ 330pF），进一步降低了驱动所需的电荷量，减轻了控制端口的负担。
　　从可靠性角度看，DA115采用高质量的封装工艺和材料，具备出色的热性能和电气稳定性。其SOT-23封装不仅体积小巧，便于高密度布局，还提供了良好的散热路径，确保在持续负载条件下仍能维持较低的工作温度。此外，器件符合RoHS环保标准，并通过了多项国际认证，适用于消费类电子、工业控制、通信模块等多种领域。内置的体二极管也能在感性负载关断时提供续流路径，增强了电路的安全性与鲁棒性。

DA115广泛应用于多种需要高效、紧凑型功率开关解决方案的场合。典型应用场景包括便携式电子设备中的电源开关和负载管理，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，用于控制不同功能模块的上电与断电，实现节能待机模式。在电池管理系统中，DA115可用于电池反接保护、充放电通路控制以及多电池切换电路，凭借其低导通电阻和高可靠性，有效降低功耗并提升安全性。
　　此外，该器件常用于低压DC-DC转换器电路中作为高端或低端开关元件，尤其是在同步降压变换器中充当上管，配合N沟道MOSFET工作。由于其P沟道结构无需复杂的自举电路即可实现高端驱动，因此可简化电源拓扑设计，降低成本。在各类主板、嵌入式系统和物联网设备中，DA115也常被用作电压域隔离开关、热插拔控制或电源路径选择器。
　　工业自动化和通信设备中同样可见其身影，例如用于传感器供电控制、继电器驱动接口、LED驱动电路中的电流斩波开关等。得益于其宽泛的工作温度范围和稳定的电气性能，DA115能够在恶劣环境条件下可靠运行，满足工业级应用需求。总之，凡是需要低电压、小电流、高效率P沟道MOSFET的地方，DA115都是一个极具竞争力的选择。

AO1150
　　DMG2304U
　　Si2301DS
　　FDC630P
　　BSS84