类型：肖特基二极管
　　配置：单个
　　最大重复反向电压（VRRM）：60V
　　最大平均正向整流电流（IF(AV)）：1A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A（8.3ms, 半正弦波）
　　最大正向电压降（VF）：850mV @ 1A, 25°C
　　最大反向漏电流（IR）：400μA @ 60V, 25°C；100μA @ 60V, 125°C
　　反向恢复时间（trr）：典型值5ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装/外壳：SOD-123

D965SSG-Q-AE3-R的核心优势在于其采用的肖特基势垒结构，这种结构利用金属-半导体结而非传统的PN结，从而显著降低了正向导通压降。在1A电流下，其最大正向电压仅为850mV，相比普通硅二极管可减少约30%-40%的导通损耗，这在高效率电源转换应用中尤为重要。例如，在电池供电设备或车载充电系统中，更低的VF意味着更少的能量以热量形式耗散，有助于提升整体能效并简化散热设计。同时，该器件具备非常快的反向恢复时间（trr典型值为5ns），几乎不存在少数载流子存储效应，因此在高频开关电路如同步整流型DC-DC变换器中表现出色，能够有效降低开关噪声和电磁干扰（EMI）。
　　另一个关键特性是其通过了AEC-Q101认证，这意味着该器件经历了严格的应力测试，包括高温反偏（HTRB）、温度循环、机械冲击和湿度敏感度等级评估等，确保在汽车引擎舱或车身控制系统等恶劣环境中长期可靠运行。其宽广的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其能够在极端气候条件下保持性能稳定。此外，SOD-123封装不仅体积小巧（典型尺寸约2.7mm x 1.6mm x 1.1mm），还具备良好的热传导性能，便于在紧凑型电路板上实现自动化贴片组装。该封装符合行业标准，兼容主流回流焊工艺，并支持高密度布板需求。
　　从可靠性角度看，D965SSG-Q-AE3-R具有较低的反向漏电流，在60V反向电压下室温时最大为400μA，而在125°C高温下仍控制在100μA以内，显示出优异的高温阻断能力。这对于防止电源反灌和提高系统安全性至关重要。器件还具备高达30A的峰值浪涌电流承受能力（基于8.3ms半正弦波测试条件），可在瞬态过载或启动冲击期间提供保护。总体而言，这些电气与物理特性使D965SSG-Q-AE3-R成为追求高性能、高可靠性和小型化的现代电子系统的理想选择，特别是在汽车电子、工业控制和消费类电源模块中表现突出。

D965SSG-Q-AE3-R因其出色的电气性能和汽车级认证，广泛应用于多个领域。在汽车电子系统中，它常用于DC-DC转换器中的整流与续流功能，例如在车载信息娱乐系统、LED照明驱动、ADAS传感器供电模块中作为高效整流元件。由于其低正向压降和快速响应特性，能够在启停系统或能量回收电路中最大限度地减少能量损失。此外，该器件也适用于电池管理系统（BMS）中的防反接和充放电路径控制，保障高压电池组的安全运行。
　　在工业与消费类电子产品中，D965SSG-Q-AE3-R被广泛用于开关模式电源（SMPS）、AC-DC适配器、USB充电端口的反向保护电路以及便携式设备的电源管理单元。其小型SOD-123封装非常适合智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对空间高度敏感的产品设计。在这些应用中，该二极管可用于防止电源反接损坏主控芯片，或作为BUCK/BOOST拓扑结构中的续流二极管，提升转换效率。
　　此外，该器件还可用于信号整流、箝位电路和电压隔离等模拟电路设计中。由于其快速的反向恢复能力，即使在高频工作条件下也能保持低噪声操作，适用于通信模块、传感器接口和微控制器外围电路。总之，无论是需要高可靠性的汽车环境，还是追求小型化与高效率的消费电子平台，D965SSG-Q-AE3-R都能提供稳定且高效的解决方案。

BAS40-04W-7-F
　　MBR160VLSFT1G
　　SS16-S