D8N25 时间：2025/8/7 8:58:50 阅读：19

D8N25 是一款常用的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关电路以及功率放大器等领域。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力等优点，适合于需要高效能和高可靠性的应用场合。D8N25通常采用TO-220或TO-252等封装形式，方便在电路板上安装。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：250V
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　最大漏极电流(Id)：8A
　　导通电阻(Rds(on))：约0.35Ω（典型值）
　　功率耗散(Pd)：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220 / TO-252

特性

D8N25 MOSFET具有多项优异的电气特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在导通状态下较低的功率损耗，从而提高了整体系统的效率。其次，该器件能够承受高达250V的漏源电压，适用于中高压应用。此外，D8N25的栅极驱动电压范围较宽，通常在4.5V至10V之间即可实现充分导通，使其兼容多种驱动电路。该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在较高温度下稳定工作，增强了系统的可靠性。最后，其快速开关特性降低了开关损耗，适合用于高频开关电源或DC-DC转换器等应用。
　　D8N25还具备过热保护和过流保护的能力，这在一些高功率应用中尤为重要。其封装设计有助于散热，特别是在使用散热片的情况下，能有效降低温度，提高器件寿命。此外，D8N25的制造工艺成熟，良品率高，价格相对较低，适合大规模应用。

应用

D8N25适用于多种功率电子设备，包括但不限于：开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、LED驱动电源、充电器、逆变器、UPS不间断电源、功率放大器和工业自动化控制系统等。由于其高耐压和高电流能力，D8N25在需要频繁开关操作的系统中表现出色，尤其适合中高功率级别的应用。在汽车电子和消费类电子产品中，该器件也常被用于电源管理电路中，以实现高效能和小型化设计。