晶体管类型：NPN
　　集电极-发射极电压（Vceo）：30V
　　集电极-基极电压（Vcbo）：50V
　　发射极-基极电压（Vebo）：5V
　　集电极电流（Ic）：3A
　　功耗（Pd）：200mW
　　直流电流增益（hFE）：120～480（测试条件：Ic=150mA, Vce=6V）
　　过渡频率（fT）：150MHz
　　工作结温范围（Tj）：-55℃～+150℃
　　存储温度范围：-55℃～+150℃
　　封装/外壳：SOT-426

D882SSG-P-AE3-R具备优异的高频响应能力和稳定的直流电流增益，使其在模拟放大和数字开关应用中均能保持出色的性能表现。该晶体管采用了ROHM成熟的硅外延生长工艺，确保了器件在高温环境下仍能维持较低的漏电流和稳定的增益特性。其最大集电极电流可达3A，能够在短时间内承受较大的负载电流，适用于需要瞬态大电流驱动的应用场景，例如继电器驱动或电机控制中的缓冲电路。同时，该器件的饱和压降低于常规同类产品，在导通状态下能够有效减少功耗并提升系统效率，这对于电池供电设备尤为重要。
　　该晶体管具有良好的热稳定性和抗二次击穿能力，能够在频繁开关操作下保持长期可靠性。其SOT-426小型封装不仅节省PCB空间，还具备较好的散热性能，通过优化焊盘布局可实现更高效的热传导。此外，D882SSG-P-AE3-R符合RoHS环保标准，并通过了无铅认证，适用于绿色电子产品制造流程。器件还具备较强的抗静电能力（ESD保护），提高了在自动化装配过程中的耐受性，降低了因静电放电导致的早期失效风险。
　　在高频应用方面，D882SSG-P-AE3-R的过渡频率高达150MHz，意味着它可以在射频前置放大器或高速开关电路中有效工作，支持较宽的信号带宽处理能力。其输入输出电容较小，有助于减少高频信号失真和相位延迟。无论是在音频放大器、脉冲宽度调制（PWM）控制器还是在开关电源反馈回路中，该晶体管都能提供快速响应和精确控制。整体而言，D882SSG-P-AE3-R是一款兼顾高性能、小体积与高可靠性的通用NPN晶体管，适合多种复杂电子系统的集成需求。

D882SSG-P-AE3-R广泛应用于各类中小功率电子电路中，常见于便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和智能穿戴设备中的电源管理与信号切换模块。在LED照明领域，该晶体管可用于恒流驱动电路或作为背光亮度调节的开关元件，凭借其低饱和压降和高电流承载能力，显著提升能效并延长电池续航时间。在DC-DC升压或降压转换器中，它常被用作控制开关或反馈环路的驱动级，协助实现高效的电压调节功能。
　　工业控制设备中，D882SSG-P-AE3-R可用于传感器信号放大、继电器驱动和逻辑电平转换等任务，特别是在PLC（可编程逻辑控制器）和嵌入式控制系统中发挥重要作用。由于其良好的温度稳定性和抗干扰能力，该器件也能适应较为恶劣的工作环境。在家用电器如电视、空调、洗衣机等产品的主板电路中，它被广泛用于风扇速度控制、按键扫描驱动以及通信接口的电平匹配。
　　此外，该晶体管还可用于音频前置放大电路、无线收发模块的射频开关以及电池充电管理IC的外围配套电路中。其小型化封装特别适合自动化SMT（表面贴装技术）生产线，大幅提高制造效率并降低生产成本。无论是作为线性放大器还是数字开关，D882SSG-P-AE3-R都能提供稳定可靠的性能支持，是现代电子设计中不可或缺的基础元器件之一。

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　　 "KSC882YTFT1G",
　　 "MMBT882PT",
　　 "BC882BLT1G",
　　 "FMMT882TA",
　　 "ZTX882"
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