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GA1210H183JBXAT31G 发布时间 时间:2025/6/4 3:51:47 查看 阅读:8

GA1210H183JBXAT31G 是一款高性能的功率放大器芯片,广泛应用于射频通信领域。该芯片采用先进的制造工艺,能够在高频段提供卓越的增益和效率表现,适用于蜂窝基站、无线基础设施和其他高功率射频应用。
  其设计集成了匹配网络和偏置电路,从而简化了系统设计并减少了外部元件的需求。此外,该芯片具有良好的线性度和稳定性,能够满足现代通信系统对信号质量的严格要求。

参数

型号:GA1210H183JBXAT31G
  工作频率范围:50 MHz 至 6 GHz
  增益:20 dB(典型值)
  输出功率:40 dBm(典型值)
  效率:50%(典型值)
  供电电压:5 V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装形式:QFN-24

特性

GA1210H183JBXAT31G 的主要特性包括:
  1. 高功率密度,适合于高负载应用场景。
  2. 广泛的工作频率范围,支持多种通信协议和频段。
  3. 内置匹配网络,减少外围电路设计复杂度。
  4. 稳定的性能表现,在宽温度范围内保持一致性。
  5. 低热阻封装设计,提高散热性能。
  6. 提供优异的线性度和效率,优化整体系统性能。

应用

这款芯片的主要应用领域包括:
  1. 蜂窝基站的射频前端模块。
  2. 固定无线接入 (FWA) 设备。
  3. 移动通信设备中的功率放大器。
  4. 微波链路和点对点无线电系统。
  5. 工业、科学和医疗 (ISM) 频段应用。
  6. 其他需要高功率和高效能的射频场景。

替代型号

GA1210H183JBXAT29F
  GA1210H183JBXAT35G
  PA1208H271JDXAT28G

GA1210H183JBXAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.018 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-