时间：2025/8/15 9:32:06
阅读：26
D8740180GTHS1 是一款由东芝（Toshiba）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率和高频率应用。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和快速开关特性，适用于电源转换器、电机驱动器、逆变器以及其他需要高效能功率开关的场合。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：80V
栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：180A
导通电阻（Rds(on)）：约1.8mΩ（典型值）
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C至175°C
功率耗散（Pd）：300W
D8740180GTHS1的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高整体效率。此外，该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，使得其在高频应用中表现出色，能够有效降低开关损耗。其高耐压能力和大电流承载能力使其适用于高功率密度设计。
另一个重要特性是其坚固的封装设计，TO-247封装不仅提供了良好的散热性能，还确保了在高电流条件下的机械稳定性和可靠性。该器件还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定的性能。
此外，D8740180GTHS1具有快速的开关速度，使其适用于高频率开关应用，如DC-DC转换器、同步整流器以及电机控制电路。其栅极驱动特性也经过优化，能够兼容常见的驱动电路设计，简化了系统集成过程。
D8740180GTHS1适用于多种高功率电子系统，包括但不限于电源供应器、DC-DC转换器、UPS（不间断电源）、电动车辆的功率控制系统、工业电机驱动器以及太阳能逆变器等。其高效能和可靠性使其成为现代电力电子设备中的关键组件。
TK80E08K,TMWS80N08,TWAM80N08
