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D8212B 发布时间 时间:2025/12/28 3:37:34 查看 阅读:9

D8212B是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的高灵敏度霍尔效应开关,广泛应用于需要非接触式位置检测的电子设备中。该器件集成了霍尔传感元件、信号放大器、施密特触发整形电路以及输出驱动晶体管,能够在磁场作用下实现数字开关信号的输出。D8212B采用微型SOT-23封装,具有体积小、功耗低、响应速度快和可靠性高等优点,适用于便携式电子产品、消费类电器、工业控制系统以及汽车电子等多种应用场景。其内部电路设计优化了温度稳定性和抗机械应力能力,确保在复杂环境条件下仍能保持稳定的性能表现。此外,该芯片支持单电源供电,简化了系统设计,降低了整体成本。由于其全极性感应特性,D8212B能够对南北两极磁场均作出响应,无需区分磁极方向,极大提升了安装与使用的灵活性。

参数

类型:霍尔效应开关
  封装形式:SOT-23
  电源电压范围:2.7V 至 5.5V
  工作电流:典型值 4.5mA
  输出类型:开漏输出
  磁感应强度(Bop):典型值 3.5mT
  释放点(Brp):典型值 2.5mT
  回差(Bhys):典型值 1.0mT
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  响应时间:典型值 1μs
  极性识别:全极性感应
  ESD保护:±4kV(HBM)

特性

D8212B的核心特性之一是其全极性磁场感应能力,这意味着无论面对南极还是北极磁场,器件都能可靠地触发动作,极大提高了在实际应用中的安装容错率和设计灵活性。这一特性特别适用于那些磁铁方向难以精确控制或可能发生反转的应用场景,例如旋转编码器、门限检测或滑动机构的位置感知等。该芯片内部集成了高增益霍尔电压放大器,能够将微弱的霍尔电压信号有效放大,并通过精密的施密特触发器进行整形,从而输出干净、稳定的数字信号,避免了因信号抖动引起的误触发问题。
  D8212B采用先进的CMOS工艺制造,具备出色的功耗管理能力,在正常工作状态下仅消耗约4.5mA电流,适合用于电池供电设备中以延长续航时间。其快速响应时间(典型值为1微秒)使得该器件可用于高速检测场合,如转速测量或多通道位置采样系统。器件内置的迟滞功能(Bhys ≈ 1.0mT)有效防止了在临界磁场强度附近出现输出振荡现象,增强了系统的稳定性与抗干扰能力。
  在环境适应性方面,D8212B的工作温度范围覆盖-40°C至+125°C,满足工业级和部分汽车级应用需求。其SOT-23封装不仅节省PCB空间,还具备良好的热稳定性和机械强度。此外,该芯片具备高达±4kV的人体模型(HBM)静电放电保护能力,提升了在装配和运行过程中的可靠性。整体而言,D8212B是一款高性能、高集成度且易于使用的霍尔开关,适用于多种自动化与智能感知系统。

应用

D8212B广泛应用于各类需要非接触式位置检测的电子系统中。在消费电子领域,常用于智能手机、笔记本电脑和平板设备中的翻盖检测或休眠唤醒功能,通过检测内置磁铁的位置变化来控制屏幕的开启与关闭。在家用电器中,可用于洗衣机门盖检测、微波炉安全联锁、电动牙刷位置感应等场景,提升产品安全性与用户体验。
  在工业控制方面,D8212B可用于电机转速监测、旋转编码器、阀门位置反馈以及传送带计数装置等自动化设备中,实现精准的运动状态感知。其高响应速度和稳定性使其成为工业传感器网络中的理想选择。
  在汽车电子应用中,该器件可用于检测座椅位置、车门开闭状态、变速杆位置以及油箱盖是否关闭等,支持车辆的安全系统和人机交互功能。此外,在智能家居系统中,D8212B可用于门窗磁传感器,配合安防报警系统实现入侵检测。
  由于其小型化封装和低功耗特性,D8212B也适用于可穿戴设备和物联网终端节点,用于姿态识别或活动状态监测。总体来看,D8212B凭借其全极性感应、高灵敏度和高可靠性,已成为现代智能感知系统中不可或缺的关键元器件之一。

替代型号

US1881
  OH3144E
  AH3144A
  Melexis US2882

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