D5PE881M5P3EZ-Z 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高效率、低损耗的应用场景设计。该器件采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和快速开关特性,适用于多种电源管理应用,例如 DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等。
其封装形式通常为紧凑型表面贴装器件 (SMD),有助于节省 PCB 空间并提高散热性能。
型号:D5PE881M5P3EZ-Z
类型:N-Channel MOSFET
额定电压(Vds):60V
额定电流(Id):47A
导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ
栅极电荷(Qg):15nC
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装:TO-Leadless
D5PE881M5P3EZ-Z 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻 Rds(on),可减少功率损耗并提升系统效率。
2. 快速开关能力,支持高频操作,非常适合开关电源和 PWM 控制应用。
3. 高雪崩击穿能量能力,增强了器件在瞬态条件下的可靠性。
4. 紧凑型无引线封装设计,具备良好的热性能和电气性能。
5. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代化生产要求。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的功率转换。
2. 各类 DC-DC 转换器中的主开关或同步整流器。
3. 电池管理系统 (BMS) 的充放电控制。
4. 电机驱动电路中的功率级元件。
5. 工业自动化设备中的负载切换功能。
6. 消费电子产品的高效电源管理模块。
D5PE881M5P3EZ-A, D5PE881M5P3EZ-B