晶体管类型：PNP + NPN
　　集电极-发射极电压（Vce）：最大30V
　　集电极电流（Ic）：最大150mA
　　功率耗散：200mW
　　电流增益（hFE）：110至800（根据工作点不同）
　　频率响应：250MHz（典型值）
　　封装类型：SIP5

D526SURWA/S530-A3 的核心特性在于其双晶体管结构，能够提供优异的匹配性能和温度稳定性。由于两个晶体管共享相同的封装和热环境，它们之间的热耦合较强，适合用于差分放大器和电流镜等需要对称性的电路结构。此外，该器件的高频响应和低噪声特性使其在音频前置放大器和高精度传感器信号调理电路中表现出色。
　　该晶体管组合还具有较高的电流增益范围，允许设计人员根据具体应用选择合适的工作点，从而优化放大器的线性度和效率。其SIP封装形式便于手工焊接和插件安装，适用于原型设计和小批量生产。
　　在可靠性方面，D526SURWA/S530-A3 经过了严格的工业标准测试，确保在宽温度范围内稳定工作，适合在恶劣环境条件下使用的电子设备中。

该器件广泛应用于音频放大器的输入级和中间级，用于提高信号的增益并降低噪声。在传感器接口电路中，D526SURWA/S530-A3 常用于放大微弱的模拟信号，以便后续的ADC转换或比较器处理。此外，它还可用于构建差分放大器、电流源和温度补偿电路等精密模拟电路设计。

D526SURWA/S530-A3 的替代型号包括 D527SURWA/S530-A3 和 D528SURWA/S530-A3，这些型号在电气特性上相似，但可能在封装或最大额定值上略有不同。在特定应用中，也可以使用分立的晶体管（如2N3904和2N3906）进行替代，但需要注意它们之间的匹配性和热耦合性能。