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VEC2R7505QG 发布时间 时间:2025/5/26 19:14:41 查看 阅读:17

VEC2R7505QG 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该芯片采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和优异的热性能等特点。其封装形式为 QFN,具有较小的尺寸和良好的散热特性,适用于对空间和效率要求较高的电子设备。
  该型号是专为需要高效能和高可靠性的应用而设计,广泛用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域。

参数

最大漏源电压:75V
  连续漏极电流:5A
  导通电阻(典型值):4.5mΩ
  栅极电荷:28nC
  开关频率:高达1MHz
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装类型:QFN

特性

VEC2R7505QG 具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够显著降低功耗并提高系统效率。
  2. 高速开关能力,适合高频应用场合。
  3. 出色的热性能,确保在高负载条件下的稳定运行。
  4. 小型化封装设计,节省电路板空间。
  5. 宽泛的工作温度范围,适应各种恶劣环境。
  6. 内置保护功能,如过流保护和短路保护,提升器件可靠性。

应用

该芯片的主要应用场景包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. 电机驱动电路,例如无刷直流电机(BLDC)的逆变桥。
  3. 汽车电子中的负载切换和电池管理系统。
  4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  5. 通信设备中的电源管理单元。
  VEC2R7505QG 的高性能和可靠性使其成为这些应用的理想选择。

替代型号

VEC2R7505PG, VEC2R7505MG

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