VEC2R7505QG 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该芯片采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和优异的热性能等特点。其封装形式为 QFN,具有较小的尺寸和良好的散热特性,适用于对空间和效率要求较高的电子设备。
该型号是专为需要高效能和高可靠性的应用而设计,广泛用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域。
最大漏源电压:75V
连续漏极电流:5A
导通电阻(典型值):4.5mΩ
栅极电荷:28nC
开关频率:高达1MHz
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装类型:QFN
VEC2R7505QG 具备以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够显著降低功耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力,适合高频应用场合。
3. 出色的热性能,确保在高负载条件下的稳定运行。
4. 小型化封装设计,节省电路板空间。
5. 宽泛的工作温度范围,适应各种恶劣环境。
6. 内置保护功能,如过流保护和短路保护,提升器件可靠性。
该芯片的主要应用场景包括但不限于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路,例如无刷直流电机(BLDC)的逆变桥。
3. 汽车电子中的负载切换和电池管理系统。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 通信设备中的电源管理单元。
VEC2R7505QG 的高性能和可靠性使其成为这些应用的理想选择。
VEC2R7505PG, VEC2R7505MG