D50N06PA是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-220封装形式。该器件适用于各种需要高效率、低导通损耗的应用场景,例如开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及负载开关等。其额定电压为60V,最大持续电流可达50A,具有较低的导通电阻和快速的开关特性。
最大漏源电压:60V
最大漏极电流:50A
导通电阻(典型值):15mΩ
栅极电荷:45nC
输入电容:1000pF
连续工作结温范围:-55℃至+150℃
封装形式:TO-220
D50N06PA具备出色的电气性能,主要特性包括:
1. 低导通电阻:在典型条件下,导通电阻仅为15mΩ,能够显著降低功率损耗。
2. 高电流承载能力:支持高达50A的连续漏极电流,适合大功率应用。
3. 快速开关速度:得益于较小的栅极电荷和输入电容,器件可以实现高效的开关操作。
4. 热稳定性强:工作结温范围宽广,从-55℃到+150℃,适应多种环境条件。
5. 可靠性高:经过严格的质量控制流程,确保长期使用的稳定性和可靠性。
D50N06PA广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):
作为主开关或同步整流器,提高系统效率。
2. 电机驱动:
用于直流无刷电机(BLDC)或其他类型电机的驱动电路。
3. DC-DC转换器:
实现高效的电压转换功能。
4. 负载开关:
用于保护电路免受过流或短路的影响。
5. 电池管理系统(BMS):
控制电池充放电路径,确保安全性与效率。
D50N06DS, IRFZ44N, FDP5020