时间：2025/8/10 15:30:02
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D504NS 是一款由东芝（Toshiba）制造的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件设计用于高效率和低导通损耗，适用于多种高功率电子系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：500V
连续漏极电流（ID）：4.5A
漏极峰值电流（IDM）：18A
导通电阻（RDS(on)）：1.2Ω（最大值）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2V 至 4V
封装类型：TO-220
D504NS 具有低导通电阻和高电流处理能力，使其在功率转换应用中表现出色。其500V的漏源电压额定值使其适用于高电压系统，同时具备较高的热稳定性和可靠性。该器件的封装形式（TO-220）便于散热，适合高功率密度设计。
此外，D504NS 的栅极驱动需求较低，可以与多种控制电路兼容，从而简化设计和应用。其快速开关特性也有助于提高系统效率，降低开关损耗。
D504NS 常用于电源转换器、DC-DC转换器、电机控制、照明系统、电池管理系统以及工业自动化设备中。由于其高耐压和高电流能力，也适用于需要高效能功率开关的各类应用。
2SK2647, 2SK1318, 2SK1172
