时间：2025/7/23 12:21:19
阅读：7
D4NK50Z 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制、负载开关等高功率场景。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高耐压特性，适用于需要高效率和高性能的电子系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：500V
栅源电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）：4.0A（@TC=100℃）
脉冲漏极电流（Idm）：16A
功耗（Pd）：50W
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-220
导通电阻（Rds(on)）：1.4Ω（@Vgs=10V）
D4NK50Z 采用先进的沟槽式结构技术，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。该器件具有较高的击穿电压（500V），能够承受较高的电压应力，适用于高压应用环境。
此外，D4NK50Z 的栅极氧化层设计优化，使其具备良好的栅极稳定性，能够承受较高的栅源电压（±30V），增强了器件在复杂工况下的可靠性。
该MOSFET具有较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss），有助于提高开关速度，减少开关损耗，适用于高频开关应用。其封装形式为TO-220，具备良好的散热性能，适合在高功率密度设计中使用。
内置的体二极管具有较快的恢复特性，适用于需要反向电流流通的应用场景，如电机驱动和继电器控制等。
由于其优异的性能参数和稳定的可靠性，D4NK50Z 广泛用于电源适配器、工业电源、LED照明驱动、家电控制等领域。
D4NK50Z 主要应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、马达控制、照明系统（如LED驱动器）、工业自动化设备、家电产品以及各类功率管理模块。其高耐压和低导通电阻特性使其在中高功率应用中表现出色。
2SK2545, 2SK1318, IRF840, FQA4N50
