D4814GA 时间：2025/8/18 14:53:47 阅读：1

D4814GA 是一款常用的功率场效应晶体管（Power MOSFET），广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机驱动等电路中。这款MOSFET采用N沟道结构，具备低导通电阻、高耐压和高电流承载能力的特点，适用于高效率、高稳定性的电源系统设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：100V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：14A
　　导通电阻(Rds(on))：约0.045Ω（典型值，取决于Vgs）
　　功耗(Pd)：80W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

D4814GA 的核心优势在于其低导通电阻和高电流能力，这使其在高功率应用中具有较低的功率损耗和良好的热稳定性。该MOSFET具备快速开关特性，适用于高频开关电源设计。其TO-252封装形式有助于提高散热效率，并兼容常见的表面贴装工艺。此外，D4814GA 还具备良好的抗雪崩能力和高耐用性，适合在工业和汽车电子等严苛环境中使用。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，在+10V至+20V之间均可稳定工作，便于与各种驱动电路配合使用。D4814GA还具备较高的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏。其设计优化了开关损耗和导通损耗之间的平衡，从而提升整体能效，适用于如同步整流、电池管理系统、电机控制等高要求应用领域。