PESD5V0X1UAB 是一款基于硅技术的低电容瞬态电压抑制 (TVS) 二极管,专为高速信号线提供卓越的静电放电 (ESD) 和浪涌保护而设计。该器件具有出色的响应速度和钳位性能,能够在不影响信号完整性的前提下保护敏感电子设备免受过压威胁。
其超低电容特性(典型值小于1 pF)使其非常适合高速数据接口应用,例如 USB、HDMI、以太网等。此外,PESD5V0X1UAB 符合 IEC61000-4-2 国际标准,并支持高达±20 kV 的接触放电保护。
工作电压:5 V
峰值脉冲电流:8.7 A
最大反向工作电压:5.8 V
击穿电压:6.1 V
箝位电压:13.8 V
结电容:0.7 pF
响应时间:1 ps
封装:DFN1006-2
PESD5V0X1UAB 提供以下显著特性:
1. 超低电容,适合高速信号线路。
2. 极快的响应时间,能够及时抑制瞬态过压。
3. 高度可靠的 ESD 和浪涌保护能力,符合国际标准。
4. 小型化封装,节省 PCB 空间。
5. 单向保护结构,适用于单极性信号线路。
6. 工作温度范围广,从 -55°C 到 +150°C,确保在极端环境下的稳定性。
PESD5V0X1UAB 广泛应用于以下领域:
1. 高速数据接口保护,如 USB 2.0/3.0、HDMI、DisplayPort、以太网。
2. 移动设备中的射频前端保护,包括智能手机、平板电脑。
3. 工业自动化设备中的通信端口保护。
4. 汽车电子系统中的 CAN 总线和 LIN 总线保护。
5. 医疗设备中的敏感信号线路保护。
PESD5V0X1UAL, PESD5V0UA1BS, PESD5V0UASC