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D45VM8 发布时间 时间:2025/8/25 1:21:47 查看 阅读:8

D45VM8 是一款由东芝(Toshiba)制造的功率晶体管,属于MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别。该器件主要用于高功率应用,例如电源转换器、电机控制和工业自动化系统。D45VM8 采用N沟道结构,具备较高的电流和电压承受能力,能够提供稳定的性能,适用于高频率开关操作。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):45A
  最大漏-源电压(VDS):60V
  最大栅-源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):约0.018Ω(典型值)
  功率耗散(PD):150W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:TO-220

特性

D45VM8 MOSFET具有多个显著的特性,使其适用于高功率电子设计。首先,它的低导通电阻(RDS(on))确保了在高电流下较低的功率损耗,从而提高了系统效率。此外,该器件的高漏极电流承受能力(45A)使其能够驱动高功率负载,如大功率电机或直流-直流转换器。D45VM8 还具有良好的热稳定性,采用TO-220封装形式,能够有效散热,适合在恶劣环境下使用。由于其高速开关特性,D45VM8 适用于高频开关电路,例如脉宽调制(PWM)控制器和电源管理模块。最后,该器件的栅极驱动电压范围较宽(±20V),增强了其在不同应用中的兼容性。
  D45VM8 的另一个关键优势是其耐用性和可靠性。由于采用了先进的硅栅极技术,该MOSFET在长期运行中表现出较低的失效率。此外,它的高耐压能力(60V VDS)使其适用于多种电压级别的电源系统,包括12V、24V和48V直流电源。这种灵活性使得D45VM8 成为工业控制、汽车电子和消费类电子产品中常用的功率开关器件。

应用

D45VM8 MOSFET广泛应用于各种需要高功率开关能力的电子系统中。其中,常见的应用包括直流-直流转换器、开关电源(SMPS)、电机驱动电路、逆变器、电池管理系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高耐压和大电流能力,D45VM8 也常用于汽车电子系统,如车载充电器、电动工具和LED照明驱动器。此外,在太阳能逆变器和不间断电源(UPS)系统中,该MOSFET也用于高效的能量转换和分配。

替代型号

IRFZ44N, STP45NF06, FDP6675, Si4410DY

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