型号：SUF304B
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：40V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：60A
　　脉冲漏极电流（IDM）：240A
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：约2.8mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=4.5V：约3.7mΩ
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：典型值2.0V，范围1.0~2.5V
　　输入电容（Ciss）：约3300pF
　　输出电容（Coss）：约950pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值45ns
　　最大功耗（PD）：约200W（取决于PCB布局和散热条件）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220AB 或 TO-220FP

SUF304B作为一款高性能N沟道功率MOSFET，其核心优势体现在多个方面。首先，它具备极低的导通电阻（RDS(on)），在VGS=10V时仅为2.8mΩ左右，这意味着在大电流通过时产生的导通损耗非常小，显著提升了系统的整体效率。这对于需要长时间运行且对能效要求较高的电源系统尤为重要，例如服务器电源模块或电动汽车车载充电器中的DC-DC变换器。其次，该器件具有优异的开关特性，得益于较小的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qsw），使得其在高频开关应用中表现出色，能够有效减少开关过程中的能量损耗，提高开关频率上限，从而支持更紧凑的滤波元件设计。
　　另一个关键特性是其强大的电流处理能力。SUF304B可在25°C环境下承载高达60A的连续漏极电流，并支持峰值达240A的脉冲电流，这使其非常适合应对电机启动、继电器驱动等存在瞬态大电流冲击的应用场景。同时，器件采用了坚固的平面工艺结构，增强了抗雪崩能力和长期工作的可靠性。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+175°C）确保了在极端环境温度下的稳定运行，适用于工业级甚至部分汽车级应用场景。
　　此外，SUF304B具备良好的热性能，TO-220封装提供了较大的金属背板面积，便于安装散热片以增强散热效果。这种封装也方便手工焊接与自动化生产。其栅极驱动电压兼容性强，可在4.5V至10V范围内正常工作，尤其适合使用常见的5V逻辑控制器直接驱动，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计复杂度。综合来看，SUF304B凭借低导通阻抗、高电流容量、优良的开关性能和可靠的封装设计，成为中低压大功率开关应用中的理想选择。

SUF304B主要应用于各类需要高效、大电流开关控制的电力电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS）、同步整流DC-DC转换器、电池供电设备中的电源管理单元、电机驱动电路（如直流电机H桥驱动）、逆变器功率级以及工业自动化控制系统中的固态继电器替代方案。此外，也可用于UPS不间断电源、电动工具电源模块、太阳能充电控制器和汽车电子辅助系统（如风扇控制、灯光调节）等领域。由于其具备高效率和良好热稳定性，特别适合空间受限但功率密度要求高的应用场景。

IRF304B, IPD30N04S3L, FDP30N04, AUIRF304B