类型：N沟道
　　最大漏极电流（ID）：44A
　　最大漏-源电压（VDS）：100V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约7.5mΩ（典型值，具体取决于VGS）
　　功耗（PD）：160W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装：TO-252（DPAK）

D44H8TU是一款高性能的N沟道功率MOSFET，具备优异的导通特性和高电流处理能力。其导通电阻非常低，通常在7.5mΩ左右，这使得在高电流应用中能够显著降低功率损耗和发热。该器件的最大漏极电流为44A，漏-源电压可达100V，使其能够在高功率需求的环境中稳定工作。此外，D44H8TU的最大栅-源电压为±20V，提供了良好的栅极控制特性，适用于多种驱动电路。
　　该MOSFET的封装形式为TO-252（DPAK），是一种常见的表面贴装封装，具有良好的散热性能和机械稳定性。这种封装形式便于在PCB上安装，并且适用于自动化生产流程。D44H8TU的工作温度范围从-55°C到175°C，能够在极端温度条件下保持稳定运行，适用于工业级和汽车电子等严苛环境。
　　此外，D44H8TU的高可靠性和耐用性使其在多种应用中表现出色。其高功率处理能力和低导通电阻使其在电源管理和开关应用中表现出色，能够有效提高系统效率并减少发热。同时，该器件的快速开关特性也使其适用于高频应用，如DC-DC转换器和同步整流器。

D44H8TU广泛应用于各种高功率和高效率需求的电子设备中。其主要应用场景包括电源管理系统、DC-DC转换器、电机控制、电池充电器和负载开关等。由于其低导通电阻和高电流处理能力，D44H8TU特别适合用于需要高效能和低损耗的电源转换应用，如服务器电源、工业电源和汽车电子系统。此外，该器件也常用于逆变器和UPS（不间断电源）系统中，以提供稳定的功率输出和高效的能量转换。

IRF1404, STP40NF10, FDP44N10, Si4410DY