时间：2025/12/26 10:00:52
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D3Z33BF-7是一款齐纳二极管（Zener Diode），主要用于电压参考和稳压应用。该器件由ROHM Semiconductor生产，采用小型表面贴装封装（如SOD-323），适合在空间受限的电路设计中使用。其标称齐纳电压为33V，容差为±5%，确保在各种工作条件下提供稳定的电压参考。D3Z33BF-7具有低动态电阻和良好的温度稳定性，能够在较宽的电流范围内保持精确的稳压性能。该器件广泛应用于电源管理、模拟信号调理、过压保护以及需要精密电压基准的电子设备中。由于其小型化封装和高可靠性，D3Z33BF-7特别适用于便携式电子产品、通信设备和工业控制系统。
类型：齐纳二极管
是否无铅：是
是否环保：是
品牌：ROHM Semiconductor
齐纳电压(Vz)：33V @ Iz=50μA
容差：±5%
最大耗散功率(Pd)：200mW
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
温度系数：+0.08%/℃ (典型值)
动态电阻(Zzt)：900Ω (典型值, @ Iz=50μA)
反向漏电流(IR)：1μA (最大值, @ VR=26.4V)
封装/外壳：SOD-323 (SC-90)
D3Z33BF-7作为一款高性能的33V齐纳二极管，具备多项关键特性以满足现代电子系统对稳定性和可靠性的需求。首先，其±5%的电压容差保证了在批量生产中的电气一致性，使得电路设计更加可预测且易于调试。该器件在极低测试电流（Iz = 50μA）下即可实现稳定的齐纳击穿电压，这使其非常适合用于低功耗应用，例如电池供电设备或待机模式下的电压监测电路。
其次，D3Z33BF-7采用SOD-323超小型表面贴装封装，不仅节省PCB空间，还具备良好的热传导性能和机械强度，适合自动化贴片生产工艺。这种封装形式也降低了寄生电感和电容，有助于提升高频响应特性，尽管齐纳二极管主要工作于直流或低频场景，但在瞬态抑制方面仍有一定优势。
该器件拥有高达+150℃的最大结温，表现出优异的热稳定性，可在严苛环境温度下长期运行而不发生性能退化。同时，其较低的温度系数（+0.08%/℃）意味着输出电压随温度变化较小，提升了系统的整体精度。此外，D3Z33BF-7符合RoHS环保标准，不含铅、镉等有害物质，适用于对环保要求严格的工业和消费类电子产品。
在电气性能方面，其动态电阻为900Ω，在同类低压齐纳二极管中处于合理水平，能够有效抑制小幅度的输入波动。虽然相比更高电压等级的齐纳管略高，但结合其工作电流范围和功耗限制，仍能提供可靠的稳压效果。反向漏电流控制在1μA以内，进一步减少了静态功耗，提高了能效表现。总体而言，D3Z33BF-7是一款集小型化、低功耗、高稳定性于一体的电压参考元件，适用于多种中高压参考需求的应用场景。
D3Z33BF-7常用于需要稳定33V参考电压的模拟和数字电路中，典型应用场景包括开关电源中的反馈回路电压设定、DC-DC转换器的输出电压检测、电压监控电路、过压保护电路以及信号电平转换。此外，它也可作为比较器或运算放大器的基准源使用，尤其适合在空间受限且要求长期稳定工作的便携式设备、工业传感器模块、通信接口保护电路以及消费类电子产品中部署。由于其良好的温度特性和低漏电流表现，该器件还能用于环境条件变化较大的户外或工业环境中，作为可靠的电压钳位元件。
MM3Z33V-TP\nMMSZ33V-TP\nPZM33B-7-F
