类型：双共阴极肖特基二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：20V
　　最大直流阻断电压（VR）：20V
　　最大均方根电压（VRMS）：14V
　　最大正向整流电流（IF）：300mA
　　峰值浪涌正向电流（IFSM）：1.25A
　　最大正向电压（VF）：450mV @ 150mA, 1V @ 300mA
　　最大反向漏电流（IR）：0.1μA @ 18V
　　典型结电容（CJ）：30pF
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23 (SC-59)
　　安装类型：表面贴装

D3SBA20的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，这种技术利用金属-半导体结代替传统的PN结，从而显著降低正向导通压降，通常在150mA电流下仅为450mV左右，这不仅减少了功率损耗，还提高了电源转换效率。由于没有少数载流子存储效应，该器件表现出极快的开关速度，反向恢复时间几乎可以忽略不计，非常适合用于高频开关电源和高速整流应用。其双共阴极结构允许两个独立的阳极共享一个公共阴极，这种配置在半波或全波倍压整流电路中非常有用，能够简化电路设计并节省空间。SOT-23封装尺寸小巧，仅约2.8mm × 1.6mm × 1.45mm，便于实现高密度贴装，尤其适合移动设备和可穿戴电子产品中的有限空间布局。该封装还具备良好的散热能力，能够在持续负载条件下有效传导热量。器件的结电容较低，典型值为30pF，有助于减少高频信号路径中的容性耦合和能量损失，提升射频或高速数字信号处理电路的性能。D3SBA20具有出色的热稳定性，在高温环境下仍能维持可靠的电气特性，且反向漏电流极小，在室温下仅为0.1μA，即使在接近最大额定电压时也能保持较低水平，确保待机功耗最小化。所有电参数均经过严格测试，并在生产过程中进行100%筛选，以保证产品的一致性和长期可靠性。此外，该器件通过AEC-Q101汽车级可靠性认证的可能性较高（需查证具体批次），使其也可应用于车载电子系统。其无铅镀层和符合JEDEC MS-012标准的引脚构型支持自动贴片工艺，兼容标准回流焊流程。
　　在实际应用中，D3SBA20常被用于同步整流辅助电路、电池充电路径隔离、电压钳位保护以及ESD防护网络中。其低VF特性使其在低压大电流场景中表现优异，例如在3.3V或5V供电轨中作为防倒灌二极管使用时，能有效减少电压跌落，避免下游电路因压降过大而无法正常工作。同时，由于其快速响应能力，可在瞬态过压事件中迅速导通，将多余能量泄放到地，起到一定的瞬态抑制作用。尽管它不具备专门TVS二极管的高脉冲功率承受能力，但在轻度浪涌保护需求下仍具有一定实用性。总体而言，D3SBA20是一款兼顾性能、尺寸与成本效益的通用型肖特基二极管解决方案，广泛服务于消费类电子、工业控制和通信模块等领域。

D3SBA20广泛应用于各类需要高效、小型化整流与保护功能的电子电路中。常见用途包括便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理单元，用于电池充放电路径的隔离与防反接保护。在DC-DC转换器特别是升压（Boost）和降压-升压（Buck-Boost）拓扑中，它常作为续流二极管或输出整流元件，凭借低正向压降减少能量损耗，提高转换效率。该器件也适用于AC-DC适配器内的次级侧整流环节，尤其是在低功率适配器中替代传统快恢复二极管以提升能效。在信号处理电路中，D3SBA20可用于高频信号的包络检波、限幅和钳位操作，得益于其快速响应和低结电容特性。其双共阴极结构特别适合构建倍压整流电路，常见于LCD偏压生成或小功率高压电源模块中。此外，该二极管还可用于USB端口的电源极性保护，防止外部错误连接导致主控芯片损坏。在电机驱动和继电器控制电路中，D3SBA20可用于抑制感性负载关断时产生的反电动势，起到续流和保护开关器件的作用。工业传感器模块、IoT节点和无线充电接收器等低功耗嵌入式系统也普遍采用此类器件来优化电源路径管理。由于其符合环保标准且具备良好可靠性，D3SBA20同样适用于汽车电子中的非动力总成系统，如车载信息娱乐设备、车身控制模块和LED照明驱动电路。

MBRS320T3G
　　RB751S40T1U
　　SS12
　　BAT54C
　　PMDS320EP