时间：2025/4/29 9:22:59
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D35SB80是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等电路中。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，能够有效降低功耗并提高系统效率。
D35SB80采用TO-220封装形式，这种封装方式不仅散热性能优越，而且便于安装和焊接。由于其出色的电气特性和可靠性，D35SB80在工业控制、消费电子及汽车电子等领域均有广泛应用。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：35A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：47nC
总电容：1600pF
工作温度范围：-55℃至175℃
D35SB80具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，能够显著减少功率损耗。
2. 高速开关能力，适用于高频应用场合。
3. 良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持优异性能。
4. 强大的过流能力和抗浪涌能力，确保器件在异常条件下安全运行。
5. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
D35SB80可应用于多种场景，包括但不限于：
1. 开关电源中的功率开关元件。
2. 电机驱动电路中的逆变器或斩波器组件。
3. DC-DC转换器中的同步整流管。
4. 汽车电子系统中的负载切换控制。
5. 工业自动化设备中的功率调节与保护模块。
IRFZ44N
STP36NF06L
FDP5500
IXYS: IXTH35N08T2
