类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　漏极电流（Id）：8A（连续）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.35Ω @ Vgs = 10V
　　功率耗散（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

D2N108S MOSFET具有多个优良的电气和物理特性，适用于多种电源管理与功率控制应用。
　　首先，该器件具备较高的漏源击穿电压（100V），可支持中高压电源系统，如12V至48V直流电源转换系统。其8A的连续漏极电流能力，使得它在电机驱动、负载开关和电源管理电路中表现出色。
　　其次，D2N108S的导通电阻为0.35Ω，在Vgs为10V时具有较低的导通损耗，有助于提高系统效率并减少发热。该MOSFET的栅极驱动电压范围为±20V，具有较高的栅极耐压能力，适用于常见的PWM控制电路。
　　此外，该器件采用TO-252封装，具有良好的热传导性能，能够有效地将热量散发至PCB板上，从而提升整体的热稳定性和可靠性。这种封装形式也便于表面贴装工艺（SMT），适用于自动化生产。
　　D2N108S还具备快速开关特性，适合用于高频开关应用，如DC-DC转换器、同步整流和马达控制模块。其内部结构设计优化了开关损耗，提高了整体系统效率。

D2N108S MOSFET主要应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）：作为主开关或同步整流器，适用于AC-DC和DC-DC转换电路。
　　2. 电机驱动：用于H桥电路或单向电机控制，支持中小功率直流电机的高效控制。
　　3. 负载开关：可用于智能电源管理系统中的负载切换，如电池供电设备中的电源隔离。
　　4. DC-DC转换器：适用于升压（Boost）、降压（Buck）以及反相（Inverting）拓扑结构，提高电源转换效率。
　　5. 电源管理模块：用于多路输出电源的控制与调节，实现高效节能的电源管理方案。
　　6. 工业自动化控制：如继电器替代、PLC模块中的开关控制等。
　　7. 汽车电子：适用于车载电源系统、LED照明控制以及车载充电模块。

IRFZ44N, FDPF8N50, STP8NK50Z, FQP8N50C