时间：2025/9/2 5:54:05
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D27UCG8T2BTR 是一种由东芝（Toshiba）生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率功率转换应用。该器件采用先进的沟槽式栅极技术，提供较低的导通电阻和优异的开关性能，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电池管理系统等多种场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：20V
连续漏极电流（Id）：100A
导通电阻（Rds(on)）：3.7mΩ（典型值，Vgs=10V）
封装类型：SOP（表面贴装封装）
工作温度范围：-55°C至150°C
功率耗散：100W
栅极电荷（Qg）：50nC
输入电容（Ciss）：2600pF
D27UCG8T2BTR MOSFET采用东芝先进的沟槽式栅极技术，提供极低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统效率。此外，该器件具有优异的热稳定性，能够承受较高的工作温度，确保在恶劣环境下的稳定运行。
其高栅极电荷（Qg）虽然稍高于一些低功率MOSFET，但结合其高电流能力和良好的开关特性，使得它在高功率应用中表现尤为出色。该MOSFET的封装设计优化了散热性能，有助于提高器件的可靠性和寿命。
此外，D27UCG8T2BTR具有快速开关能力，降低了开关损耗，有助于提高电源转换效率。其高耐压能力和大电流容量使其适用于各种高要求的功率电子设备。
D27UCG8T2BTR MOSFET广泛应用于各种电力电子设备中，包括DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统、UPS（不间断电源）、工业自动化设备和电源管理模块。由于其高效的能量转换能力和良好的热稳定性，该器件特别适合用于高功率密度和高可靠性要求的应用场景。
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