时间：2025/8/9 7:00:14
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D25-04N 是一款由 STMicroelectronics 生产的功率MOSFET晶体管，采用N沟道结构，适用于多种高功率和高频率应用。这款MOSFET具有优异的导通特性和低损耗性能，适用于工业控制、电源转换、马达驱动等领域。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏极电流：25A
漏源击穿电压：40V
栅源电压范围：±20V
导通电阻（Rds(on)）：40mΩ（典型值）
最大功耗：100W
封装形式：TO-220
D25-04N MOSFET具备低导通电阻的特点，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有较高的耐压能力，可承受较大的电压波动，确保在恶劣工作环境下的稳定性。其高功率耗散能力使其适用于高负载条件下的应用，例如DC-DC转换器和电源管理系统。D25-04N还具有快速开关特性，适用于高频开关电路，减少开关损耗并提升整体性能。其封装形式（TO-220）便于安装和散热管理，适用于需要高效热管理的场景。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持多种驱动电路设计，提高设计灵活性。
D25-04N广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、马达控制、电池充电器、工业自动化设备以及消费类电子产品中的高功率开关电路。
STP25NK40Z, IRFZ44N
