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BSPS2255TTR 发布时间 时间:2025/8/30 21:29:50 查看 阅读:7

BSPS2255TTR 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等场景。该器件采用高性能沟槽式栅极技术,提供低导通电阻(RDS(on))和优异的热性能。BSPS2255TTR采用TSOP(Thin Small Outline Package)封装,适合高密度电路设计和表面贴装工艺。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):30V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):8.4A
  功耗(PD):3.5W
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  存储温度范围:-65°C ~ 150°C
  封装类型:TSOP

特性

BSPS2255TTR 具备多项优异特性,首先其低导通电阻(典型值为12.5mΩ @ VGS=10V)可显著降低导通损耗,提高系统效率。其次,该器件采用先进的沟槽式栅极结构,提供更高的电流密度和更好的热稳定性。
  此外,BSPS2255TTR具备良好的雪崩能量承受能力,增强了器件在高电压瞬态环境下的可靠性。其栅极氧化层设计可承受高达±20V的栅源电压,提高了抗过压能力。
  该MOSFET采用TSOP封装,具有较小的封装尺寸和较低的热阻,支持快速散热,适用于空间受限的高功率密度设计。此外,该器件符合RoHS环保标准,适用于现代绿色电子产品设计。

应用

BSPS2255TTR 主要应用于以下领域:电源管理系统中的负载开关和电源分配、DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统(BMS)、电机驱动电路、LED照明驱动器以及工业自动化控制设备。由于其高效率和紧凑封装,该器件特别适用于笔记本电脑、平板电脑、智能移动设备和车载电子系统等对空间和能效要求较高的应用。

替代型号

Si2302DS, AO4406, IRF7409, FDS6680

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BSPS2255TTR参数

  • 制造商Cooper Bussmann