时间：2025/8/30 21:29:50
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BSPS2255TTR 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等场景。该器件采用高性能沟槽式栅极技术，提供低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能。BSPS2255TTR采用TSOP（Thin Small Outline Package）封装，适合高密度电路设计和表面贴装工艺。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：8.4A
功耗（PD）：3.5W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
存储温度范围：-65°C ~ 150°C
封装类型：TSOP
BSPS2255TTR 具备多项优异特性，首先其低导通电阻（典型值为12.5mΩ @ VGS=10V）可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件采用先进的沟槽式栅极结构，提供更高的电流密度和更好的热稳定性。
此外，BSPS2255TTR具备良好的雪崩能量承受能力，增强了器件在高电压瞬态环境下的可靠性。其栅极氧化层设计可承受高达±20V的栅源电压，提高了抗过压能力。
该MOSFET采用TSOP封装，具有较小的封装尺寸和较低的热阻，支持快速散热，适用于空间受限的高功率密度设计。此外，该器件符合RoHS环保标准，适用于现代绿色电子产品设计。
BSPS2255TTR 主要应用于以下领域：电源管理系统中的负载开关和电源分配、DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路、LED照明驱动器以及工业自动化控制设备。由于其高效率和紧凑封装，该器件特别适用于笔记本电脑、平板电脑、智能移动设备和车载电子系统等对空间和能效要求较高的应用。
Si2302DS, AO4406, IRF7409, FDS6680
