类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：60A
　　最大漏极-源极电压（VDS）：30V
　　最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻 Rds(on)：最大 7.5mΩ（在 VGS=10V）
　　最大功耗（PD）：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

D2485AR 具备多项优异的电气和热性能，适用于高功率和高频应用。
　　首先，其低导通电阻（Rds(on)）仅为 7.5mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率，特别适合大电流工作环境。
　　其次，该器件的最大漏极电流可达 60A，支持高功率负载切换，适用于如电源转换、马达驱动等高电流需求的场景。
　　再者，其漏极-源极击穿电压为 30V，适合低压大电流的电源管理应用，例如电池供电系统、服务器电源、DC-DC 转换器等。
　　此外，D2485AR 采用 TO-252 封装，具备良好的散热性能，适合高密度 PCB 布局，同时支持表面贴装工艺，提升生产效率与可靠性。
　　最后，其栅极驱动电压范围为 ±20V，兼容常见的驱动电路设计，简化了外围驱动电路的设计难度，提高了系统的稳定性。
　　综上所述，D2485AR 是一款高性能、高可靠性的功率 MOSFET，广泛适用于各种高功率开关场景。

D2485AR 主要应用于需要高效能、大电流开关的电子系统中。
　　在电源管理系统中，它常用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关等电路中，实现高效能的能量转换和管理。
　　在工业自动化领域，该 MOSFET 可用于伺服电机、步进电机的驱动电路，提供稳定的大电流输出能力。
　　在通信设备中，D2485AR 可用于基站电源模块、服务器电源系统，确保系统在高负载条件下的稳定运行。
　　此外，该器件也广泛用于电池管理系统（BMS）、电动工具、电动车控制器等应用中，作为主开关或功率调节元件。
　　由于其封装形式适合 SMT 工艺，因此也适用于高密度、自动化程度高的 PCB 设计场景，提升整体系统的集成度与稳定性。

Si4410BDY-T1-GE3, IRF1405, TPS2R200-Q1, IPD90P03P4-03