类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：8A
　　导通电阻（Rds(on)）：40mΩ（典型值）
　　功耗（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：SOP（小型封装）
　　引脚数：8
　　栅极电荷（Qg）：18nC
　　输入电容（Ciss）：900pF
　　开启阈值电压（Vgs(th)）：1.5V 至 2.5V

D2475TQ作为一款高性能功率MOSFET，具有多项显著特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可有效降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件支持高达8A的连续漏极电流，适用于中高功率应用。其SOP封装形式不仅体积小巧，便于PCB布局，而且具备良好的热性能，有助于提高器件在高负载下的稳定性。
　　此外，D2475TQ具备快速开关能力，栅极电荷（Qg）仅为18nC，有助于降低开关损耗并提高响应速度，适用于高频开关应用。其输入电容（Ciss）为900pF，在高频电路中表现出良好的稳定性，有助于减少寄生效应。
　　该器件的工作温度范围宽广，从-55°C至150°C，适应各种恶劣环境条件。栅源电压容限为±20V，具有较强的抗电压波动能力，提高了器件的可靠性。
　　值得一提的是，D2475TQ还具备优异的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压情况下提供一定保护，从而提升整体系统的鲁棒性。

D2475TQ广泛应用于各类电源管理及功率控制电路中。常见用途包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流电路、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路、负载开关、LED驱动器等。在消费类电子产品中，如笔记本电脑、平板电脑、智能手机等设备中，该器件可用于电源转换和负载控制。在工业自动化和通信设备中，D2475TQ也可用于高效率电源模块和功率调节电路。

Si4410BDY-T1-GE3, IRF7404, AO4406A, FDS6680, NDS355AN