D2407R 时间：2025/8/18 6:08:10 阅读：24

D2407R 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和开关应用。该器件采用先进的沟槽式技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制和电池供电设备等应用。D2407R 采用 TO-252（DPAK）封装，适用于表面贴装技术，具有良好的热性能和可靠性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：11A
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：30V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 7.5mΩ @ VGS=10V
　　导通阈值电压（VGS(th)）：1V~2.5V
　　功耗（Ptot）：40W
　　工作温度范围：-55°C~150°C
　　封装：TO-252（DPAK）

特性

D2407R MOSFET 具有多个优异的电气和热性能特性，适用于高效率电源系统设计。首先，其低导通电阻（Rds(on)）在 7.5mΩ 以下，确保在高电流工作时减少功率损耗，提高系统效率。其次，该器件的最大漏极电流可达 11A，支持高负载应用，如电机驱动和DC-DC转换器。
　　此外，D2407R 的栅极驱动电压范围宽广，可在 10V 至 20V 范围内正常工作，便于与多种控制器和驱动电路兼容。其栅极-源极电压容限为 ±20V，增强了器件在高压瞬态环境下的可靠性。导通阈值电压（VGS(th)）较低，通常在 1V 至 2.5V 之间，使其能够与低压逻辑控制器（如微控制器）直接配合使用，减少了外围驱动电路的复杂性。
　　TO-252（DPAK）封装提供了良好的热管理能力，适合表面贴装工艺，提高了焊接可靠性和装配效率。同时，该封装具有良好的散热性能，有助于在高功率密度设计中维持较低的结温。D2407R 的最大功耗为 40W，支持连续高功率工作。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适应广泛的工业和消费类应用环境。

应用

D2407R MOSFET 主要应用于各种电源管理和功率控制领域。在 DC-DC 转换器中，该器件可用作高侧或低侧开关，提供高效能的电压转换功能。在负载开关应用中，D2407R 可用于控制电源通断，减少待机功耗并提升系统能效。
　　此外，该器件适用于电机控制电路，如电动工具、风扇和泵的驱动系统，提供快速开关能力和低损耗特性。D2407R 也可用于电池管理系统（BMS），在电池充放电控制中发挥重要作用。
　　在消费类电子产品中，D2407R 可用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理模块，支持高效能和小型化设计。工业自动化设备、照明控制系统和嵌入式系统也广泛采用 D2407R 实现高可靠性和高性能的功率控制方案。