型号：D2394
　　制造商：Toshiba
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：4.4A（@ VGS=10V）
　　脉冲漏极电流（IDM）：17A
　　导通电阻（RDS(on)）：27mΩ（@ VGS=10V）
　　导通电阻（RDS(on)）：35mΩ（@ VGS=4.5V）
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：600pF（@ VDS=15V）
　　输出电容（Coss）：180pF（@ VDS=15V）
　　反向传输电容（Crss）：50pF（@ VDS=15V）
　　栅极电荷（Qg）：12nC（@ VGS=10V）
　　功耗（Pd）：1W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23

D2394采用了东芝先进的U-MOS VIII-H沟槽型MOSFET工艺技术，这种工艺通过优化元胞结构和引入场板设计，显著降低了单位面积的导通电阻，从而实现了超低的RDS(on)值，在保证高电流输出的同时有效减少了导通损耗。该器件在VGS=10V时的典型导通电阻仅为27mΩ，而在更低的驱动电压4.5V下也能保持35mΩ的低阻状态，这使其非常适合用于低电压、高效率的电源管理系统中。其低阈值电压特性意味着它可以轻松被3.3V或5V逻辑信号直接驱动，无需额外的电平转换或复杂的栅极驱动电路，大大简化了系统设计复杂度并降低了整体成本。
　　D2394具备优异的开关性能，得益于其较小的输入、输出和反向传输电容，使得器件在高频开关应用中表现出色，能够有效降低开关过程中的能量损耗，提升电源转换效率。其栅极电荷Qg仅为12nC，进一步增强了其在高频PWM控制环境下的适用性。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在结温高达150°C的环境下持续工作，配合适当的散热设计可长期稳定运行于严苛工况之下。
　　器件采用SOT-23小型表面贴装封装，体积小巧，便于自动化贴片生产，适用于高度集成的便携式电子设备，如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等。该封装还具备良好的热传导性能，能够在有限的空间内有效散发工作热量。D2394符合RoHS指令要求，不含铅和其他有害物质，满足现代绿色电子产品制造标准。其高可靠性和长寿命也使其适用于工业级和汽车级应用场景。

D2394主要用于各类中小功率的开关电源电路中，作为同步整流器或主开关管使用，常见于AC-DC适配器、USB充电器、移动电源等设备中以提高转换效率。它也被广泛应用于DC-DC降压或升压转换器中，特别是在基于Buck或Boost拓扑结构的电源模块中作为控制开关元件。在电池供电系统中，D2394常被用作负载开关，用于控制不同功能模块的供电通断，从而实现节能待机或电源隔离功能。此外，该器件适用于电机驱动电路，例如微型直流电机、振动马达或步进电机的驱动控制，尤其适合对空间和功耗有严格要求的便携式设备。在消费类电子产品如智能手表、无线耳机、IoT传感器节点中，D2394可用于电源管理单元（PMU）中进行电源路径控制或电池保护。工业控制系统中的继电器驱动、LED恒流驱动电源、热敏打印头驱动等也是其典型应用领域。由于其良好的温度特性和稳定性，D2394也可用于部分车载电子设备中的低压电源转换模块，如车载导航、行车记录仪等。

SSM3K329R,DMG2305UX,RJK03B9DPB