D2306Q 时间：2025/8/18 16:45:56 阅读：21

D2306Q是一款由ON Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用先进的工艺制造，具有低导通电阻、高耐压和高可靠性等优点，适用于DC-DC转换器、电机驱动、负载开关和电池管理系统等多种场景。D2306Q采用TO-252（DPAK）封装形式，便于安装和散热，是中功率电子系统中的理想选择。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大漏极电流（Id）：10A（连续）
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.036Ω @ Vgs=10V
　　漏极-源极击穿电压（BVdss）：60V
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

D2306Q MOSFET具有多项优异的电气性能和物理特性。其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率，特别适用于高频率开关应用。此外，该器件具有高耐压能力，能够承受较大的电压应力，确保在复杂工况下的稳定运行。
　　该MOSFET的栅极氧化层设计优化，提供了良好的栅极稳定性，并降低了栅极电荷（Qg），从而加快了开关速度，减少了开关损耗。同时，其±20V的栅源电压耐受能力增强了抗过压能力，提高了器件在高压环境中的可靠性。
　　D2306Q还具备良好的热稳定性和高电流承受能力，能够在较高的工作温度下保持稳定性能。其TO-252封装结构提供了良好的散热性能，有助于降低系统温度，延长使用寿命。这些特性使得D2306Q非常适合用于需要高效率、高可靠性和紧凑设计的电子设备中。