时间：2025/8/18 11:31:59
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D2238A1K0USAVBC6 是由 Vishay Siliconix 生产的一款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率电源转换应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和快速开关特性，适合用于DC-DC转换器、电源管理模块和负载开关等电路中。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：200V
漏极电流（ID）：17A
导通电阻（RDS(on)）：0.115Ω @ VGS=10V
栅极电压（VGS）：±20V
功率耗散（PD）：94W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TO-220AB
D2238A1K0USAVBC6 MOSFET采用先进的沟槽技术，具有极低的导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了效率。该器件的高耐压能力使其适用于高电压输入环境，同时具备良好的热稳定性和高可靠性。
其快速开关特性可降低开关损耗，适用于高频开关电源设计。此外，该MOSFET具有较高的雪崩能量耐受能力，能够承受瞬态过电压和过电流冲击，提高了系统的稳定性与安全性。
该器件的封装形式为TO-220AB，便于安装和散热，适用于各种工业电源、电池管理系统、电机控制和电源保护电路中。
D2238A1K0USAVBC6广泛应用于多种电源管理领域，包括但不限于：DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、负载开关控制、电池充电器、电机驱动电路以及工业自动化控制系统中的功率开关模块。其优异的性能使其成为许多高电压、中高功率应用的理想选择。
SiHF22N20C, FDPF22N20, STP17N20D
