型号：D2118-4
　　类型：双NPN晶体管阵列
　　封装：SOT-23-6
　　极性：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极电压（VEBO）：6V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功率耗散（PD）：300mW
　　直流电流增益（hFE）：100 ~ 400（典型值200）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C

D2118-4内部集成两个性能匹配的NPN型晶体管，每个晶体管均可独立工作，具备良好的线性放大特性和快速开关响应能力。其最大集电极-发射极电压为50V，允许在多数低压直流系统中安全运行，适用于5V、3.3V乃至更低电压的数字与模拟电路。每个晶体管的集电极电流额定值为100mA，足以驱动小型继电器、LED指示灯、蜂鸣器以及各类逻辑门电路。
　　该器件的直流电流增益（hFE）在典型工作条件下可达200，最高可至400，确保了较高的信号放大效率，有利于减少前级驱动电路的设计复杂度。过渡频率fT高达100MHz，使其能够在高频开关应用中保持良好的响应特性，适用于脉宽调制（PWM）、时钟信号缓冲和高速数据传输接口等场合。SOT-23-6封装不仅节省空间，还提供了良好的热稳定性和电气隔离性能，便于自动化贴片生产。
　　D2118-4的热阻特性优异，在正常环境温度下可实现自然散热，无需额外散热装置。其工作结温最高可达+150°C，保证了在高温工业环境或长时间连续工作下的可靠性。此外，该器件具备较强的抗静电能力，并通过了多项国际可靠性测试标准，适用于对稳定性要求较高的应用场景。所有参数均在严格的质量控制流程下进行筛选与验证，确保批次一致性，降低终端产品失效率。

D2118-4常用于便携式电子产品中的信号切换与电平转换电路，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的I/O扩展模块。在消费类家电如电视、音响、遥控器中，它可用于红外发射驱动、按键扫描矩阵和电源管理单元。工业控制系统中，该器件可作为传感器信号调理前端，用于放大微弱信号或将模拟信号转换为数字逻辑电平。
　　在通信设备中，D2118-4可用于线路驱动器、光耦输入级或RS-232电平转换电路，提供可靠的信号隔离与增强功能。其双晶体管结构也使其适用于差分放大器、推挽输出级或简单的振荡电路设计。此外，在电源管理领域，它可以作为低压稳压器的使能控制开关或用于电池充放电状态检测电路。
　　由于其封装小巧且支持回流焊工艺，D2118-4特别适合应用于高密度表面贴装（SMT）电路板设计中，广泛见于网络路由器、智能家居控制器、医疗监测设备和汽车电子模块等领域。其稳定的电气性能和宽泛的工作温度范围，也使其能够适应严苛的使用环境。