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PTZTE2513B 发布时间 时间:2025/12/25 10:22:37 查看 阅读:16

PTZTE2513B是一款由ProTek Devices生产的瞬态电压抑制(TVS)二极管阵列,专为保护敏感电子元件免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和雷击感应浪涌等瞬态电压事件的影响而设计。该器件采用先进的半导体工艺制造,具备快速响应时间和低钳位电压特性,能够有效吸收和泄放高达数安培的瞬态电流,从而确保下游电路的安全运行。PTZTE2513B属于双向TVS阵列,适用于交流或双极性信号线路的保护,广泛应用于通信接口、消费类电子产品及工业控制设备中。
  该器件采用小型化SOT-23封装,节省PCB空间,适合高密度布局需求。其内部集成了多个TVS二极管单元,形成多通道保护结构,可同时保护多条信号线。由于其低电容设计,PTZTE2513B对高速信号传输的影响极小,不会引起明显的信号失真或延迟,因此特别适合用于USB、HDMI、RS-485、CAN总线等高速数据接口的ESD防护。此外,该器件符合RoHS环保标准,并通过了IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4和IEC 61000-4-5等多项国际电磁兼容性测试认证,确保在严苛电磁环境中稳定工作。

参数

类型:双向TVS二极管阵列
  工作电压(VRWM):25V
  击穿电压(VBR):27.8V @ 1mA
  最大峰值脉冲电流(IPP):13A
  钳位电压(VC):45V @ 13A
  反向漏电流(IR):≤1μA @ 25V
  电容值(Cj):15pF @ 0V
  响应时间:<1ps
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:SOT-23

特性

PTZTE2513B的核心特性之一是其优异的瞬态抑制能力,能够在纳秒级时间内响应高达±30kV的ESD冲击(接触放电),并迅速将电压钳制在安全范围内,防止后级集成电路因过压而损坏。其双向导通结构使其能够应对正负极性的瞬态电压,适用于交流信号线路或双极性供电系统中的保护应用。这种双向特性使得它在诸如RS-485、CAN总线等差分通信接口中尤为适用,因为这些接口经常面临来自两个方向的瞬态干扰威胁。
  另一个关键特性是低动态电阻和低钳位电压。当瞬态大电流流经器件时,PTZTE2513B能维持较低的钳位电压水平(典型值为45V@13A),显著降低传递到被保护器件上的残余电压,提升系统整体可靠性。这一性能得益于其优化的PN结设计和高效的热耗散机制,即使在多次重复性浪涌冲击下也能保持稳定的电气特性。
  该器件还具备极低的寄生电容(仅约15pF),这对于高频或高速数字信号路径至关重要。低电容意味着对原始信号波形的干扰最小化,避免了信号完整性下降、上升/下降时间延长或通信误码率升高等问题。因此,PTZTE2513B非常适合用于现代高速接口如USB 2.0、HDMI、Ethernet PHY以及音频/视频传输线路的ESD防护。
  此外,PTZTE2513B具有出色的热稳定性和长期耐久性,可在-55°C至+150°C的宽温度范围内正常工作,适应各种恶劣环境条件。其SOT-23封装不仅体积小巧,便于自动化贴片生产,而且引脚排列符合行业通用标准,兼容主流PCB设计工具与制造流程。综合来看,PTZTE2513B是一款高性能、高可靠性的多用途瞬态电压保护解决方案,满足当前电子设备日益增长的EMI/ESD防护需求。

应用

PTZTE2513B广泛应用于各类需要高等级静电和瞬态电压防护的电子系统中。常见应用场景包括便携式消费类电子产品,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和可穿戴设备,用于保护其USB端口、耳机插孔、触摸屏控制器和传感器接口免受人体静电放电影响。在这些设备中,用户频繁插拔外设或直接接触接口,极易引入ESD脉冲,因此使用像PTZTE2513B这样的高效TVS器件成为保障产品寿命和用户体验的关键措施。
  在通信与网络设备领域,PTZTE2513B常用于以太网PHY接口、RS-485收发器、CAN总线节点和工业现场总线系统的信号线保护。这些通信链路往往布线较长,容易耦合外部电磁干扰或遭受雷击感应电压,导致通信中断甚至芯片损坏。PTZTE2513B凭借其快速响应能力和高能量吸收特性,可有效抑制此类瞬态干扰,提高系统抗扰度和运行稳定性。
  此外,在汽车电子系统中,该器件可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块和传感器接口的ESD防护。尽管车规级应用通常要求更严格的AEC-Q101认证,但PTZTE2513B仍可作为非动力域中的辅助保护元件使用,尤其是在低压信号线上提供额外安全保障。
  工业控制与自动化设备,如PLC、HMI、电机驱动器和测量仪器,也普遍采用PTZTE2513B来增强对外部电气噪声的抵御能力。特别是在工厂环境中存在大量开关电源、继电器和变频器的情况下,电气快速瞬变(EFT)现象频发,TVS阵列的存在可以显著降低故障率。总之,PTZTE2513B凭借其多功能性和高性价比,已成为众多电子设计工程师首选的电路保护元件之一。

替代型号

SM712-13-F
  SP3013-04UTG
  TPD3USB111A

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PTZTE2513B参数

  • 标准包装1,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)13.8V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)-
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电10µA @ 10V
  • 容差±6%
  • 功率 - 最大1W
  • 阻抗(最大)(Zzt)10 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳DO-214AC,SMA
  • 供应商设备封装PMDS
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-
  • 其它名称PTZTE2513B-NDPTZTE2513BTR