产品类型：肖特基势垒二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：40V
　　最大直流阻断电压（VR）：40V
　　最大RMS电压（VRMS）：28V
　　最大正向平均电流（IF(AV)）：1A
　　峰值浪涌电流（IFSM）：30A
　　最大正向电压降（VF）@ 1A：550mV
　　最大反向漏电流（IR）@ 40V, 25°C：500μA
　　结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　储存温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOD-123FL
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　引脚数：2
　　极性：单二极管

D1FS肖特基二极管的核心优势在于其采用先进的平面工艺制造而成的肖特基势垒结构，这种结构显著降低了传统PN结二极管中存在的电荷存储效应，从而实现了极快的开关速度，几乎不存在反向恢复时间（trr < 10ns），非常适合用于高频开关电源系统中以减少开关损耗并提升整体能效。其低正向压降特性——在1A电流下典型值仅为550mV，相较于普通硅二极管的约700mV以上有明显改善，这直接减少了导通期间的能量损耗，提升了电源系统的效率，尤其在低输出电压、大电流的应用如USB供电、电池充电管理电路中表现出色。
　　此外，D1FS所采用的SOD-123FL超薄扁平封装不仅体积小巧（典型尺寸约为2.6mm x 1.6mm x 1.1mm），还具备良好的散热性能，能够有效将结部热量传导至PCB焊盘上进行散逸，支持在有限空间内实现高功率密度设计。该封装也兼容自动化贴片生产工艺，适合大规模回流焊组装流程，提高了生产效率与良品率。器件的工作结温可达+125°C，确保在高温环境下仍能可靠运行；同时其反向漏电流控制在较低水平，在常温25°C时最大仅为500μA，避免了因漏电导致的静态功耗增加问题。
　　D1FS还具备较强的抗浪涌能力，可承受高达30A的峰值浪涌电流（半正弦波8.3ms），增强了其在电源输入端面对瞬态过载或雷击感应等情况下的鲁棒性。整个器件符合国际环保标准，不含铅、镉等有害物质，并满足IEC 61249-2-21关于卤素含量的要求，适用于绿色电子产品设计。综合来看，D1FS凭借其高速、高效、小型化和高可靠性的特点，成为众多现代电子设备中不可或缺的基础元器件之一。

D1FS肖特基二极管广泛应用于各类需要高效、紧凑整流方案的电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS）中的续流与整流环节，尤其是在DC-DC降压或升压转换器中作为输出整流二极管使用，利用其低正向压降和快速响应特性来提高转换效率并降低温升。在便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和智能手表中，D1FS常被用于电池充放电管理电路、USB接口的电源路径控制以及反接保护电路中，以防止因误接电源极性而损坏主控芯片。此外，它也被用于适配器、充电器、LED驱动电源等AC-DC转换装置中作为次级侧整流元件，有助于减小整体体积并提升能效等级。
　　在工业控制与通信设备领域，D1FS可用于隔离电源模块、传感器供电单元以及信号调理电路中的钳位与保护功能。例如，在RS-485、CAN总线等差分通信接口中，常搭配TVS管使用以提供额外的过压和反向极性防护。其小型化封装特别适合高密度PCB布局设计，可在不牺牲性能的前提下节省宝贵的板上空间。另外，D1FS还可用于太阳能充电控制器、无线充电接收模块以及各类嵌入式微控制器系统的电源管理部分，发挥其低损耗和高可靠性的优势。总体而言，凡是对效率、尺寸和稳定性有较高要求的低压直流电源系统，都是D1FS的理想应用场景。