类型：肖特基二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：60V
　　平均整流电流（IO）：1A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A（8.3ms单半正弦波）
　　正向电压降（VF）：典型值0.45V @ 1A, 最大值0.575V @ 1A
　　反向漏电流（IR）：最大100μA @ 60V, 25°C；高温下可能上升至500μA @ 60V, 125°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOD-123FL
　　热阻抗（RθJA）：约150°C/W（取决于PCB布局）
　　反向恢复时间（trr）：近似为零（肖特基结构无少子存储效应）

D1FS 6的核心优势在于其采用了先进的肖特基势垒技术，这种结构利用金属与半导体之间的势垒形成整流作用，避免了传统PN结二极管中的少数载流子存储效应，从而实现了几乎为零的反向恢复时间。这一特性使其在高频开关电源中表现优异，显著降低了开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI）。由于没有明显的反向恢复电荷（Qrr），D1FS 6能够在快速切换状态下保持高效运行，非常适合用于高频率DC-DC变换器、同步整流替代方案以及需要快速响应的电源系统中。
　　该器件的正向导通电压非常低，在1A电流下典型值仅为0.45V，最大不超过0.575V。相比普通硅整流二极管（通常VF在0.7V以上），更低的压降意味着更小的导通损耗和更高的能效，尤其在低输出电压、大电流的应用中优势更为明显。例如，在5V或3.3V的电源轨中，使用D1FS 6可以有效减少发热，提高整体系统效率，并降低散热设计复杂度。
　　SOD-123FL封装不仅体积小巧（典型尺寸约为2.7mm x 1.6mm x 1.1mm），还具备良好的热传导性能，有助于将内部产生的热量迅速传递到PCB上。该封装支持自动化贴片生产，适用于回流焊工艺，确保批量制造的一致性和可靠性。同时，D1FS 6具有高达60V的反向耐压能力，能够应对大多数低压电源系统的瞬态过压情况，如负载突降或电感反冲电压，提升了系统的鲁棒性。
　　在环境适应性方面，D1FS 6可在-55°C至+150°C的宽结温范围内正常工作，适用于严苛的工业环境或高温密闭空间内的电子设备。其反向漏电流在常温下控制在100μA以内，虽然在高温下会有所增加，但在多数应用中仍处于可接受范围。总体而言，D1FS 6是一款兼具高性能、小型化和高可靠性的理想选择，适用于追求高效率和高集成度的现代电源设计。

D1FS 6被广泛应用于多种电子系统中，尤其是在对效率和空间有严格要求的设计场景中表现出色。常见应用包括AC-DC和DC-DC开关电源中的输出整流环节，特别是在反激式、降压（Buck）和升压（Boost）拓扑结构中作为续流或输出整流二极管使用。由于其低正向压降和快速响应特性，它能有效提升电源转换效率，减少发热，延长设备使用寿命。
　　在便携式电子产品如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和移动电源中，D1FS 6常用于电池充电管理电路和电源路径控制模块中，帮助实现高效的能量传输和低功耗待机模式。此外，在LED照明驱动电源中，该二极管可用于防止电流倒灌，保护驱动芯片，同时提高整体光效。
　　工业控制设备、传感器模块和嵌入式系统也大量采用D1FS 6作为防反接保护、电源隔离和瞬态电压抑制元件。在太阳能充电控制器、USB供电（PD/BC）接口、电机驱动电路中的续流保护等领域，该器件同样发挥着重要作用。得益于其SOD-123FL小外形封装，D1FS 6非常适合用于高密度PCB布局，有助于缩小产品体积，满足轻薄化设计趋势。

MBR160, MBR160ES, SB160, SS16, SK16, BAS40-06, PMEG6010EH, PMEG6010ER, FDMS66716, FSLD601